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电压回滞保护电路、微型逆变器以及光伏组件
本申请涉及一种电压回滞保护电路、微型逆变器以及光伏组件，其中电压回滞保护电路包括比较器，比较器的正相输入端连接分压电路，比较器的反相输入端连接采样电压；分压电路包括串联的第一电阻和第二电阻；比较器的正相输入端和输出端之间...
胡吉闯刘超山海峰周智
一种霍尔齿轮传感器脉冲细分、判向和回滞校正的实现方法
本发明公开了一种霍尔齿轮传感器脉冲细分、判向和回滞校正的实现方法，该实现方法使一个脉冲分成四步，根据上一次信号和本次信号变化判断方向和回滞处理，最终实现霍尔齿轮传感器的细分、判向和回滞校正实现齿轮精确测量的齿轮传感器，通...
王有生
一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法
本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOS ESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够...
汪煜李燕妃谢儒彬洪根深
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型...
朱天志黄冠群陈昊瑜邵华
一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件
本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种利用二次回滞特性的提高维持电流的高鲁棒性SCR器件。该结构与传统的SCR结构相比，调换了N型阱区中N型重掺杂区和P...
刘继芝彭钰航
蝶形回滞的建模及自适应神经分段隐逆控制方法及装置
本发明提出了一种蝶形回滞的建模及自适应神经分段隐逆控制方法及装置，不仅性能优于其他控制方法，而且减小了跟踪误差。此外，所提出的分段隐逆算法大大减少了从滞后临时控制信号中提取实际控制信号的计算量和搜索时间。包括：步骤1：建...
王顺江于鹏王铎贺欢眭冰凌兆伟金宜放张天一刘嘉明臧昱秀李政平关麒
一种用于抑制二次回滞的SCR器件及ESD防护电路
本发明属于电子电路技术领域，提供了一种用于抑制二次回滞的SCR器件及ESD防护电路；所述SCR器件包括：第一可控硅、主SCR支路、寄生SCR支路，主SCR支路包括第二双极型晶体管，寄生SCR支路包括P阱电阻和P衬底电阻，...
黎冰刘俊杰刘志伟杜飞波陈瑞博杨楚罗王曦刘爱群
一种霍尔齿轮传感器脉冲细分、判向和回滞校正的实现方法
本发明公开了一种霍尔齿轮传感器脉冲细分、判向和回滞校正的实现方法，该实现方法使一个脉冲分成四步，根据上一次信号和本次信号变化判断方向和回滞处理，最终实现霍尔齿轮传感器的细分、判向和回滞校正实现齿轮精确测量的齿轮传感器，通...
王有生
具有未知饱和PI回滞的非线性系统动态面隐逆控制器
本发明公开了具有未知饱和PI回滞的非线性系统动态面隐逆控制器，包括以下步骤：1)构造带有饱和PI回滞非线性系统模型；2)对系统中饱和PI模型进行建模；3)定义带有饱和PI回滞非线性系统的误差性能转换函数来确保系统跟踪误差...
张秀宇井瑞静张欢祝国强王建国夏志孙灵芳
无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法
本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型...
朱天志
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作品数：753被引量：1,349H指数：19
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研究主题：贴片机 荧光粉 HI-13串列加速器 串列加速器 图像
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作品数：104被引量：26H指数：4
供职机构：华南理工大学
研究主题：回滞 图像 变载荷 驱动器 灰度化
王栋民
作品数：642被引量：2,336H指数：23
供职机构：中国矿业大学（北京）化学与环境工程学院
研究主题：粉煤灰 水泥 聚羧酸减水剂 助磨剂 混凝土
梁伟
作品数：42被引量：113H指数：5
供职机构：绍兴文理学院
研究主题：反向漏电流 二极管 传感器 反射区 核心控制器
李清文
作品数：431被引量：282H指数：9
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：碳纳米管 碳纳米管纤维 碳纳米管薄膜 单壁碳纳米管 制法