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- 一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法
- 本发明公开了一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，包括将待测试的HEMT制备为fat‑FET结构的HEMT，其中，待测试的HEMT为氮化镓基双异质结HEMT，fat‑FET结构的HEMT为fat‑FET结构...
- 朱青郭思音陈怡霖张濛马晓华
- 高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3O12(BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管。晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流Ion=25μA,场效应迁移率μsat=0.3cm2·V-1·s-1。BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因。
- 贾良华王金斌钟向丽吕旦宋宏甲李波
- 关键词：薄膜晶体管二氧化锡SNO2
- 利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率被引量：1
- 2014年
- 通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6±1.3)V降至(-30.1±1.2)V。
- 刘东洋刘子洋王学会张世明岳守振赵毅刘式墉
- 关键词：有机薄膜晶体管表面形貌迁移率TPD
- 利用有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率的研究
- 自从1986年第一个聚噻吩有机薄膜晶体管问世以来，有机薄膜晶体管凭借其有源层取材广泛、成本低、制备工艺简单等优点逐渐成为国内外的研究热点。有机薄膜晶体管可以实现“全有机”，因此制备的器件具有极好的柔韧性易于大面积制备、质...
- 刘东洋
- 关键词：有机薄膜晶体管场效应迁移率
- 文献传递
- 界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响被引量：6
- 2003年
- 针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .
- 汤晓燕张义门张玉明郜锦侠
- 关键词：界面态电荷碳化硅场效应迁移率界面态密度MOSFET
- 高场效应迁移率非晶硅薄膜晶体管
- 1992年
- 台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm^2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一个数量级.据称,这是至今报道的最佳TFT性能.图1示出了TFT的剖面图.制作过程如下:首先。
- 禹健
- 关键词：薄膜晶体管场效应迁移率晶体管
- 全文增补中
- 设备以及具备其的氢氧化物离子浓度的测定装置及使用其的氢氧化物离子浓度的测定方法
- 本发明的课题在于提供氢氧化物离子浓度的测定装置以及测定方法，能够以高精度、容易且迅速地测定氢氧化物离子浓度，并且能够较廉价地进行测定。本发明的解决手段具有绝缘基板、至少一个绝缘复合层、以及能保持含离子液体的储液部，绝缘复...
- 德地成纪
- 一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法
- 本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl<Sub>4</Sub>）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO<Sub>2</...
- 孙华斌魏中晴陈赓丁佳瀚徐勇陈子龙于志浩吴洁
- 一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及制备方法
- 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi<Sub>2</Sub>S...
- 彭海琳李天然涂腾
- 高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
- 2024年
- 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。
- 李强葛春桥陈露钟威平梁齐莹柳春锡丁金铎
- 关键词：金属氧化物半导体薄膜晶体管场效应迁移率
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- 徐征
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- 供职机构：北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室
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- 赵谡玲
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- 供职机构：北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室
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- 张福俊
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