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InP HEMT信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质
本发明涉及微电子器件技术领域,公开了一种InP HEMT信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质。其中等效电路模型包括:栅极、漏极、源极、本征模块、栅极寄生模块、源极寄生模块、漏极寄生模块以及栅漏寄生模块;栅极、漏极...
吕红亮戚军军安维段兰燕
一种基于灰狼算法的HEMT信号等效电路模型参数提取方法
本发明公开一种基于灰狼算法的HEMT信号等效电路模型参数提取方法,包括以下步骤:设置信号等效电路模型的参数,使用灰狼算法迭代对信号等效电路模型中的寄生参数部分的参数值进行更新之后,对测试得到的散射参数进行去嵌,得到...
刘海文宋泽人徐玉莲田洪亮
一种新型场效应晶体管信号等效电路模型参数提取方法
本发明公开了一种利用特征函数的解析迭代法来提取场效应晶体管信号等效电路模型参数的新型方法,该方法将场效应晶体管信号等效电路划分成本征子电路、寄生子电路两个子电路。使用寄生子电路特征函数,提取寄生电容、寄生电阻和寄生电...
黄风义魏震楠唐旭升张有明
InP HBT老化信号等效电路模型、参数提取及退化分析方法
本发明涉及一种InP HBT老化信号等效电路模型、参数提取及退化分析方法,该老化信号等效电路模型包括:连接的寄生模块、外部分布电容模块和本征模块;其中,寄生模块包括:基极寄生单元、集电极寄生单元、发射极寄生单元、基极...
吕红亮程林郭袖秀严思璐戚军军张玉明
包含本征电感的晶体管信号等效电路模型及参数提取方法
本发明公开了一种晶体管信号等效电路模型,其特征在于,该晶体管信号等效电路模型的本征单元,包含本征电感元件。所述本征电感元件位于晶体管本征单元的源极和漏极之间,具体位置为与源漏电阻串联,或者与源漏电阻、源漏电容的并联整...
姜楠黄风义张有明
基于GWO的GaN HEMT信号等效电路的ANN模型研究
氮化镓(Gallium Nitride , GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobile Transistor,HEMT)由于其宽带隙和高电子迁移率等特性广泛运用于高频段工作的电路设计中。为高效率...
程旭瀚
关键词:高电子迁移率晶体管氮化镓小信号等效电路人工神经网络
引入射频诱导效应的SOI MOSFET信号等效电路的精确模型研究
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI )MOSFET 已成为现代射频集成电路设计中不可或缺的器件。随着器件尺寸的不断缩,目前 常用的 体接触(Body Contact, BCT)部分耗尽型(Pa...
黎莹
关键词:小信号等效电路
GaN HEMT信号等效电路模型的关键参数提取
2022年
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种更加完整的20单元等效电路模型。提出在无偏、Cold pich-off条件下获取寄生参数的方法,克服了传统的高珊正向偏压导致的栅极退化。基于双端口网络分析建立Y参数模型,提取本征元件参数,确保其结果在不同偏压下良好的平滑度,便于移植CAD商业工程应用中。在0~18 GHz频率范围内,ADS2014仿真工具的仿真数据与测试数据良好的一致性表明了所建模型及其参数提取技术的有效性。
王旭王军
关键词:GAN高电子迁移率晶体管小信号等效电路
基于物理结构的GaN HEMTs信号等效电路的精确建模方法研究
2022年
为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的信号等效电路模型。此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应,同时通过对信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法,最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比,验证了信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性。
缪文韬王军刘宇武
关键词:小信号模型集肤效应
3 nm环栅场效应管射频信号等效电路模型
2021年
针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏置影响的本征模型参数。使用Sentaurus TCAD和Matlab对器件进行仿真并拟合得到相关参数,在ADS中验证等效电路模型。结果表明,在10 MHz~300 GHz频率范围内,TCAD仿真与等效电路仿真S参数的最大误差低于2.69%,证实了所建立模型及建模方法的准确性。该项研究成果对射频集成电路设计具有参考价值。
高恒斌孙亚宾胡少坚尚恩明刘赟李小进石艳玲
关键词:小信号等效电路

相关作者

王军
作品数:43被引量:45H指数:3
供职机构:西南科技大学信息工程学院
研究主题:小信号等效电路 毫米波 SIGE_HBT 纳米MOSFET MOSFET
高建军
作品数:55被引量:36H指数:3
供职机构:华东师范大学
研究主题:等效电路模型 小信号模型 异质结双极晶体管 HEMT 漏波天线
张玉明
作品数:990被引量:447H指数:11
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
刘佑宝
作品数:86被引量:115H指数:5
供职机构:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
研究主题:砷化镓 MESFET SOI 模型参数 PD_SOI
孙玲玲
作品数:482被引量:313H指数:8
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:介质基片 背腔 无缝集成 极化天线 共面波导