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一种测量晶体管特性的精密恒温夹具: 本实用新型公开了一种测量晶体管特性的精密恒温夹具，涉及晶体管测试用具技术领域，包括底座，所述底座顶部固定安装有控温片，所述控温片上方安装有下导热铜板，所述下导热铜板上方设有上导热铜板。本实用新型设计方案通过控温片上安装有...; 董武文王艳云董瑞琪

晶体管特性仿真装置、晶体管特性仿真方法和晶体管特性仿真程序: 晶体管特性仿真装置使用晶体管等效电路模型，其中，晶体管等效电路模型具有与通过电场强度对晶体管的陷阱能级进行校正的蒲尔‑弗朗克效应的物理模型对应的陷阱等效电路(103、104；105、106；107、108)。; 大塚友绚山口裕太郎山中宏治

应力调控下基于Skyrmion的晶体管特性: 2024年; 研究了不同应力、磁各向异性常数对电流驱动Skyrmion的动力学特性影响。随着施加应力增大,能够产生稳定Skyrmion的各向异性常数取值范围的上下限增大,即外加应力影响电流驱动时Skyrmion运行的稳定性。设计了一种宽-窄-宽型Skyrmion基晶体管,通过调控应力和各向异性常数来调控晶体管的开关特性。仿真结果表明,当极化电流密度、各向异性常数变化时,晶体管导通状态对应的应力范围也随之变化。研究结果为设计Skyrmion基晶体管及相关逻辑功能器件提供了新思路。; 陆文魁贾帅璠陈琳陶志阔; 关键词：SKYRMION 电流驱动自旋电子学晶体管

双栅无掺杂隧穿晶体管特性提升仿真研究: 2024年; 对双栅无掺杂型隧穿晶体管(DopingLess TFET,DLTFET)进行了仿真研究。通过对传统无掺杂型器件的载流子分布、电流密度、电势分布及能带图等参数的深入研究,较为全面的了解了此类器件的工作原理。基于DGTFET器件的仿真研究成果,提出了使用两种功函数栅材料构成的隧穿栅(Ф_(TG)=4.0 eV)-控制栅(Ф_(CG)=4.6 eV)-辅助栅(Ф_(AG)=4.0 eV)及异质栅介质共同实现的新型DLTFET器件。含异质栅介质和3种栅材料双栅无掺杂隧穿场效应晶体管(Hetero gate oxide TMDG-DLTFET,HG-TMDG-DLTFET),可有效促进形成更为陡峭的“突变结”。通过仿真验证了该器件较传统DLTFET的有效隧穿分布面积更大,提升了隧穿电流,表现了很好的频率特性。当栅压为1.0 V且漏压为0.5 V时,该器件的开态电流为5.5×10^(−6)A,较传统DLTFET器件的开态电流5.9×10^(−10) A提高了4个数量级;当栅压增至1.5 V时,开态电流达到了2.3×10^(−5)A。; 陈坤王树龙; 关键词：功函数

一种开关电源用晶体管特性测试电路: 本实用新型涉及晶体管特性测试领域，尤其涉及一种开关电源用晶体管特性测试电路，包括电源、测试晶体管、干路电阻、调整开关、滑动电阻、电流验证单元与正负极测试单元；所述电源、测试晶体管、干路电阻、调整开关、滑动电阻与电流验证单...; 钟永新万久森

高开关比隧穿场效应晶体管特性与辐照应用研究: 集成电路的发展遵从“摩尔定律”,随着IC技术的持续推进,传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）的尺寸不断减小...; 谢海武; 关键词：直流特性

负电容场效应晶体管特性的应变及应变梯度调控: 负电容场效应晶体管(NCFET)作为一种新兴的场效应晶体管,通过在常规金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极叠层中加入可以提供负电容的铁电层,对栅极电压进行内部放大,是克服玻尔兹曼限制、实现超低功耗电子器件的选...; 纪婷伟; 关键词：挠曲电效应短沟道解析模型

检测显示面板像素区晶体管特性的电路及方法: 本发明公开一种检测显示面板像素区晶体管特性的电路及方法，该电路包括m行栅线、n列数据线和多个子像素单元，子像素单元包括第一晶体管和子像素电极，第一晶体管响应于第一信号线提供的第一控制信号导通；每行的第i个、第i+1个子像...; 张金刚肖立川聂军何启东翟玲; 文献传递

一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路与方法: 本发明涉及一种检测LTPSAMOLED显示基板像素区晶体管特性的电路与方法，所述电路包括：驱动晶体管DTFT、存储电容Cst、初始化模块、写入模块、发光控制模块，其特征在于：还包括检测晶体管和多个检测端，其中，多个检测端...; 孙世成郭钟旭史大为张伟李存智王培

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