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有机静电感应三极管交流小信号检测电路设计
2010年
针对有机静电感应三极管动态特性的检测,设计微电流检测电路.电路的电流检测范围10-9～10-6A,频率范围20kHz.根据已制备的酞菁铜有机薄膜静电感应三极管的电气参数,建立小信号等效电路来分析有机薄膜静电感应三极管的特性,并对等效电路的动态特性进行了仿真.通过仿真结果与实测结果一致性,证实了检测电路和等效电路的可行性,并根据仿真结果提出了改进器件动态性能的方法:减小极间电容,提高电导率.
郭松野王东兴王翠娟汪广羊
关键词：有机静电感应三极管动态特性
酞菁铜有机静电感应三极管的研制被引量：2
2009年
采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,利用纯度为99.995%的有机材料酞菁铜(简称CuPc),试制了Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu5层结构的有机静电感应三极管.在室温下测试栅极Al/CuPc的肖特基势垒特性,发现它具有良好的整流特性;通过对该三极管特性进行测试研究,结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和I-V特性,且其工作特性依赖于铝栅极的电压.
施长丹王东兴张静张健
关键词：磁控溅射酞菁铜
沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响
2007年
对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据.
袁巍王东兴
关键词：有机静电感应晶体管有限元法电势分布MARC
单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析被引量：1
2005年
研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管(OSIT)导电沟道内纵向电势分布． 依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证 明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．
孟昱彭江波王东兴殷景华
关键词：OSIT有限元法有机半导体
酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究
2005年
介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au 三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管。根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算。通过 I - V 方程的拟合,对其动作特性进行了研究。通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径。
薛严冰王东兴朱敏
关键词：静态特性数值仿真
酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析被引量：1
2004年
利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.
梁海峰王东兴薛严冰
关键词：三极管酞菁铜反向偏压铜薄膜静电感应线性插值
基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性
2004年
根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,建立适当的动态小信号模型,对其动态特性进行仿真计算,得出器件的截止频率.通过对截止频率的分析,提出改善有机器件动态特性的方法.
薛严冰王东兴梁海峰
关键词：有机半导体动态特性截止频率
有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析被引量：2
2003年
在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。
薛严冰王东兴赵闻蕾
关键词：有机静电感应三极管OSIT电流-电压特性有机半导体数据解析
栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析被引量：4
2003年
根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型,选取合适的结构参数,采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解,依据OSIT导电沟道内的电位分布,分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。
井岩薛严冰王东兴
关键词：有机静电感应三极管工作特性物理模型有限元法OSIT有机半导体
有机静电感应三极管的有限元法仿真解析被引量：1
2002年
通过合理建立有机静电感应三极管(OSIT)的物理仿真模型及选取合适的结构参数,采用有限元法,对OSIT在不同偏压下仿真计算其内部电位分布,导电沟道内部电位分布,进而分析OSIT的工作特性,进行了探索性研究.依据仿真计算结果,获得OSIT以及OSIT的工作特性与偏压和结构参数的依赖关系.
井岩王东兴
关键词：有限元法仿真有机静电感应三极管半导体电子器件
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相关作者

王东兴
作品数：61被引量：39H指数：4
供职机构：哈尔滨理工大学
研究主题：酞菁铜 有机半导体 有机静电感应三极管 有限元法 抛光表面
薛严冰
作品数：65被引量：159H指数：8
供职机构：大连交通大学
研究主题：气体传感器 有机静电感应三极管 STM32 SNO 有机半导体
王东兴
作品数：3被引量：1H指数：1
供职机构：大连交通大学电气信息学院
研究主题：有机静电感应三极管 酞菁铜 反向偏压 静电感应 线性插值
郭松野
作品数：2被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨理工大学应用科学学院
研究主题：动态特性 有机静电感应三极管 光敏三极管 图像传感器 交流小信号
王翠娟
作品数：2被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨理工大学应用科学学院
研究主题：动态特性 有机静电感应三极管 光敏三极管 图像传感器 交流小信号