公共文化服务平台

搜索到466篇“ 毫米波器件“的相关文章

3D打印增材制造在微波与毫米波器件中的应用: 2024年; 增材制造(AM,也称为3d打印)以其设计自由度高、定制化生产、节约成本和快速原型制作等优点,革新了现代制造业。在微波与毫米波工程中,增材制造技术提供了一个有前景的解决方案,以满足日益增长的对更紧凑、更复杂和更轻的结构的需求。本文综述了基于3D打印技术的微波与毫米波器件,主要涵盖了器件类型、加工方式和关键技术三个方面。在器件类型方面,包括滤波器、天线和透镜等关键组成部件,展示了3D打印技术在设计和制造中的灵活性和多样性。加工方式上,针对金属和非金属材料的打印技术进行了深入探讨,探索了各种材料在微波与毫米波器件中的适用性和优势。在关键技术方面,重点介绍了打印方法、误差分析及后处理工艺等关键技术,这些技术对于提升器件性能和可靠性至关重要。; 尹晨昊鲍秀娥李锦锴袁昊云孙厚军司黎明; 关键词：增材制造滤波器

一种毫米波器件: 本实用新型涉及毫米波器件技术领域，具体的是一种毫米波器件，包括器件本体，所述器件本体的外部固定连接有半导体，所述器件本体的一侧固定连接有保护板，所述器件本体的外部固定连接有回旋管，所述器件本体的内部开设有空槽。本实用新型...; 蒋轶张云

一种基于微同轴技术的毫米波器件制作方法及毫米波器件: 本发明公开了一种基于微同轴技术的毫米波器件制作方法及毫米波器件，涉及通信技术领域，所述制作方法包括：获取硅片，对所述硅片的一侧进行刻蚀，以得到线槽；在所述线槽内制作第一保护层；在所述线槽内的所述第一保护层上制作内支撑台；...; 王荣栋杨云春

一种毫米波器件调制器动态保护电路: 本实用新型公开了一种毫米波器件调制器动态保护电路，其包括驱动模块、IGBT‑CE电流取样模块、占空比取样比较模块、基准控制模块和过流比较模块；驱动模块的输出端分别连接IGBT‑CE电流取样模块的输入端和占空比取样比较模块...; 熊佼佼周二建李文浩李勇周豪罗晓江张建华

一种毫米波器件截获电流检测保护电路: 本实用新型公开了一种毫米波器件截获电流检测保护电路，传感器输出的信号经过信号处理电路进行转换，再由差分电路进行硬件做差计算得到的差值就是截获电流。截获电流信号送入比较器电路与基准电压作比较，当截获电流信号高于基准电压时比...; 熊佼佼周二建李文浩李勇周豪罗晓江张建华

硅基高Al组分AlGaN/GaN毫米波器件研究: 随着无线通信频谱朝着毫米波、太赫兹等更高频段不断发展,射频收发前端对于核心元器件射频功率放大晶体管的要求越来越高。相比于第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓和磷化铟材料研制的射频晶体管,第三代半导体材料氮化镓（GaN）由于...; 杜航海; 关键词：毫米波器件高电子迁移率晶体管线性度

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究: 2023年; 为实现更高工作频率的氮化镓(gallium nitride,GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件,采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝(aluminium nitride,AIN)势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析,系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm,研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时,跨导达到最大值(592mS/mm),截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率,同时避免器件出现短沟道效应,固定AlN势垒层厚度为4nm,研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大,50nm栅长的器件截止频率最高,但栅长为50nm时器件短沟道效应严重,此时器件纵横比(L_(g)/T_(bar))为12.5。因此需要提升器件的纵横比,当器件栅长达到100nm时(L_(g)/T_(bar)=25),器件短沟道效应得到抑制,且具有较高的截止频率。仿真结果表明,AlN HEMT具有较高的截止频率,同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应,为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。; 李晗溱宓珉瀚周雨威龚灿马晓华; 关键词：ALN 高频短沟道效应

采用肖特基欧姆复合漏技术的高性能毫米波器件: 本文提出了一种用于毫米波氮化镓基高电子迁移率晶体管的肖特基欧姆复合漏极技术。肖特基金属在漏极欧姆区域的延伸减小了实际源极-漏极间距,从而使导通电阻减小和饱和电流提高。由TCAD仿真结果可知,漏极区域延伸的肖特基金属可以调...; 刘捷龙宓珉瀚祝杰杰王宏马晓华郝跃; 关键词：毫米波高电子迁移率晶体管击穿电压

低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法: 本发明涉及一种低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法，该器件材料结构包括：硅衬底层(1)；高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面，且与所述硅衬底层(1)之间形成凹凸不平的第一图案化界面；缓冲层(3...; 张进成郝璐刘志宏刘俊伟宋昆璐周弘赵胜雷张雅超张苇杭郝跃

一种毫米波器件用陶瓷材料及其制备方法与应用: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种毫米波器件用陶瓷材料，并进一步公开其制备方法与应用。本发明所述毫米波器件用陶瓷材料，包括以下各组分：主烧块成分及添加剂。主烧块选择低介电常数的Mg<Sub>2</Sub>Al<Su...; 杨月霞应红刘光明杨彬宋锡滨; 文献传递

加载更多 ∨

相关作者

用户反馈

相关作者

用户登录

用户反馈