公共文化服务平台

搜索到1528篇“ 电位变化“的相关文章

一种用于指示细菌细胞膜电位变化的荧光探针: 本发明公开了一种用于指示细菌细胞膜电位变化的荧光探针。该荧光探针为一种细菌膜电位指示蛋白，包括细菌膜定位序列、膜电位响应蛋白(由膜电位传感蛋白和膜电位响应荧光蛋白组成)和归一化荧光蛋白，通过膜电位响应荧光蛋白信号(F<S...; 白凡金心丁雪婧张晓维田甜

管道电位变化特性分析方法、分析装置、可读介质及终端: 本申请公开了一种管道电位变化特性分析方法，可以获取管道在周期时间段内的电位变化数据；然后，根据轨道的运行特性以及所述电位变化数据确定基准电位变化数据、干扰电位变化数据；再然后，将所述基准电位变化数据和所述干扰电位变化数据...; 吴广春王修云张梦梦兰旭杨萍

一种城镇燃气管道电位变化的监测装置: 本发明公开了一种城镇燃气管道电位变化的监测装置，本发明涉及测量电位变化装置技术领域。该城镇燃气管道电位变化的监测装置，包括地电阻测试仪，所述地电阻测试仪下端设有用于地电阻测试仪进行散热的散热组件，所述地电阻测试仪上端设有...; 李坤峰李坤陈卓

一种利用电致化学发光方法读出电位变化检测的方法及其装置: 本发明涉及电化学分析技术，具体的说是一种利用电致化学发光方法读出电位变化检测的方法及其装置。以光敏材料修饰的导电基体作为工作电极，聚合物膜离子选择性电极作为参比电极，对电极采用铂丝电极；通过参比电极产生的电位变化控制工作...; 秦伟高雪情

基于地表电位变化的变电站杂散电流检测方法: 本发明涉及电力系统中的杂散电流是否入侵城市变电站的检测方法，公开了一种基于地表电位变化的变电站杂散电流检测方法，在变电站内接地网引出线附近及变电站外布置参比电极，利用地表电位传感器同步采集地表电位信号U<Sub>1</S...; 林圣邹全德李昱达黄帅淇周奇

一种燃气管道电位变化监测装置: 本实用新型公开了一种燃气管道电位变化监测装置，包括数据记录仪，所述数据记录仪的底端通过连接缆线连接有一体化探头，所述一体化探头包括外壳体，所述外壳体内安装有极化试片、参比电极和电阻探针，所述极化试片、所述参比电极和所述电...; 贺广杰申健荣子桂张瀚文孟煜

内耳畸形患儿人工耳蜗植入前后前庭诱发肌源性电位变化被引量：1: 2023年; 目的探讨不同内耳畸形患儿人工耳蜗植入前后前庭诱发肌源性电位(vestibular evoked myogenic potential,VEMP)变化及其与前庭损伤症状的关系。方法2021年1月至6月间先天性重度感音神经性聋患儿29例,其中内耳结构正常12例(24耳),前庭水管扩大4例(8耳),Mondini畸形(耳蜗不全分隔II型合并前庭水管扩大)7例(14耳),共同腔畸形6例(12耳)。分别于术前1天及术后1个月CI关闭时进行颈性前庭诱发肌源性电位(cVEMP)和眼性前庭诱发肌源性电位(oVEMP)测试,术后1周内观察并记录患儿前庭功能损伤症状。结果术前cVEMP、oVEMP引出率分别为:内耳结构正常组73.68%(14/19)、88.89%(8/9),前庭水管扩大组100%(7/7)、100%(7/7),Mondini畸形组85.71%(12/14)、100%(10/10),共同腔畸形组22.22%(2/9)、0(0/7)。术后1周内前庭功能损害症状出现率为54.55%(12/22),术后一个月cVEMP和oVEMP引出率为50%(6/12)、45.45%(5/11);VEMP损伤率为88.89%(8/9)。结论VEMP可评估患儿人工耳蜗植入前后前庭功能,内耳畸形是植入前后VEMP变化的重要影响因素,VEMP测试结果可为人工耳蜗植入侧别的选择提供一定参考。; 薛书锦魏兴梅沈梦雅陆思萌杨梦戈孔颖李永新; 关键词：人工耳蜗植入内耳畸形前庭诱发肌源性电位

随Zeta电位变化的微通道中Casson流体电渗流的解析解被引量：1: 2023年; 本文提出了Casson流体在非均匀带电微通道中电渗透流动的解析解。目标是确定微通道剪切和非剪切区域速度和体积流量的解析表达,并描述这些区域的压力和温度分布。利用渐近逼近法将Casson流体流动的控制方程简化为无量纲形式,然后对其进行解析求解。使用余弦函数解析表达了剪切和非剪切区域的速度和体积流量。用图形表示了剪切和非剪切区域的压力、速度、流量和温度分布。结果表明,由于压力梯度和体积流量与其他参数的响应相反,随着压力梯度的上升,体积流量发生变化。此外,图示了壁形振幅和焦耳加热下的温度分布。本文结果对使用Casson流体微流控装置的各种应用中的设计和优化具有重要意义。; A.SRIVALLYM.REZA; 关键词：电渗

管道电位变化特性分析方法、分析装置、可读介质及终端: 本申请公开了一种管道电位变化特性分析方法，可以获取管道在周期时间段内的电位变化数据；然后，根据轨道的运行特性以及所述电位变化数据确定基准电位变化数据、干扰电位变化数据；再然后，将所述基准电位变化数据和所述干扰电位变化数据...; 吴广春王修云张梦梦兰旭杨萍; 文献传递

具有抑制电位变化的开关元件的半导体装置: 半导体装置设置有彼此并联连接的多个开关元件和并联连接到多个上述开关元件的多个回流元件。用作多个上述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个上述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接。上述开关元件...; 山平优松冈哲矢

相关作者