搜索到130篇“ 砷化镓微波单片集成电路“的相关文章
- 砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究被引量：2
- 2007年
- 在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。
- 王蕴辉莫郁薇吴海东张增照古文刚聂国健
- 关键词：微波单片集成电路
- 砷化镓微波单片集成电路的失效分析被引量：2
- 2003年
- 通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。
- 郑丽香莫郁薇吴海东张增照
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路
- 砷化镓微波单片集成电路的可靠性及其预计模型的研究
- 该论文用步进应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路（GaAs MMIC）的可靠性进行了初步的研究,得到恒定应力加速寿命试验的最佳试验温度,并根据步进应力试验过程中出现的问题改进了样品试验夹具.经过调研和比较各...
- 吴海东
- 关键词：可靠性砷化镓微波单片集成电路
- 文献传递
- 砷化镓微波单片集成电路研究
- 该文重点报导了GaAsMESFET单片混频器和AlGaInP/GaAsHBT单片功率放大器的研究工作.
- 程知群
- 关键词：微波单片集成电路混频器功率放大器MESFETHBT
- 文献传递
- 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展
- 着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的...
- 陈效建毛昆纯林金庭杨乃彬
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路CAD模型优化设计
- 文献传递
- 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展被引量：5
- 2000年
- 着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。
- 陈效建毛昆纯林金庭杨乃彬
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路CAD模型
- 砷化镓微波单片集成电路在移动通讯中的应用
- 1995年
- 随着移动通讯的不断发展,原来主要用于军事目的的砷化镓微波单片集成电路(MMIC)日益受到民用产业的重视。本文主要介绍砷化镓MMIC的基本原理和在移动通讯中的应用概况,并对它的发展前景作了预测。
- 邵凯
- 关键词：移动通信微波集成电路单片集成电路砷化镓
- 砷化镓微波单片集成电路研究(GaAs MESFET单片混频器和AlGaInP/GaAs HBT单片功率放大器)
- 程知群
- 关键词：微波单片集成电路混频器功率放大器
- 砷化镓微波单片集成电路在移动通信中的应用
- 邵凯
- 关键词：集成电路移动通信砷化镓
- CL51型砷化镓微波单片集成电路
- 该集成电路属国防专用产品，是为满足重点工程专门要求而设计的。该单片电路在设计上采用了计算机分析与实际电路模拟相结合的方法、采用了国际上先进的源区正面通孔与背面通孔相结合的源接地技术以及ＰＥＣＶＤ氮化硅钝化和干法刻蚀ＳｉＯ...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓微波电路微波集成电路单片电路集成电路
