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高电控磁各向异性系数的磁隧道结: 本发明提供了一种磁隧道结，其包括电极层、复合参考层、隧穿势垒层、复合自由层、非磁隔离层、复合补偿层以及覆盖层。其中，复合参考层与复合补偿层的厚度差异等于或小于25％；以及在工作温度范围内，在各个温度下，复合参考层与复合补...; 李尚坤朱政闫安李岳陞吴迪

具有可调的高垂直磁各向异性的磁隧道结: 本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性...; 薛林程志康王晓东马亨德拉·帕卡拉汪荣军

软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其读电路性能影响: 2024年; 为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA-MTJ的电学模型,设计了一种具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路和一种具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路,研究了软击穿对VCMA-MTJ电阻R_(t)、隧穿磁阻比率M、软击穿时间T_(s)以及VCMA-MTJ读电路读错误率的影响。结果表明:软击穿的出现会导致R_(t)和M均随应力时间t的增加而降低,T_(s)随氧化层厚度t_(ox)的增大而缓慢增加,却随脉冲电压V_(b)的增大而迅速减少,与反平行态相比,平行态的T_(s)更短且M降低50%所需时间更少;具有固定参考电阻的VCMA-MTJ读电路可有效避免读“0”错误率的产生,但读“1”错误率却随t的增加而上升,而具有参考电阻调控单元的VCMA-MTJ读电路可在保持读“0”正确率的同时,对读“1”错误率改善达54%,在一定程度上削弱了软击穿对VCMA-MTJ读电路的影响。; 金冬月曹路明王佑张万荣贾晓雪潘永安邱翱; 关键词：磁隧道结软击穿

一种基于磁各向异性复合薄膜的磁刺激响应致动器制备方法及应用: 本发明属于智能材料技术领域，具体为一种基于磁各向异性复合薄膜的磁刺激响应致动器制备方法及应用。所述磁各向异性复合薄膜为致动器响应层，该薄膜由磁刺激响应材料和弹性聚合物组成，其中磁刺激响应材料分散在弹性聚合物中。通过对磁颗...; 葛阳姜交林王宝俊吴俊辉沈寒冰濮国亮

CoHf合金多层薄膜垂直磁各向异性及多阻态的研究: 随着物联网、云计算、人工智能、大数据等新兴技术的不断发展,人们对信息存储的高密度、高速度和非易失性存储提出了更高的要求。垂直磁存储相较于水平磁存储有良好热稳定性、高存储密度等特点,因此具有垂直磁各向异性(PMA)的薄膜被...; 蔡万超; 关键词：垂直磁各向异性

一种太赫兹频段磁各向异性纳米材料的制备方法、应用方法及太赫兹器件: 本发明涉及一种磁性材料，尤其是一种太赫兹频段磁各向异性纳米材料的制备方法、应用方法及太赫兹器件。制备方法，包括以下步骤：按质量比称量Sr(NO3)3、Fe(NO3</...; 李宜磊梁国春江顺喜黄振新周方平

不同衬底沉积的Co/Pt多层膜及Co层厚度对其垂直磁各向异性的影响: 2024年; 采用直流磁控溅射方法,分别在100μm厚的聚偏氟乙烯(PVDF)、聚酰亚胺(PI)和Si衬底上沉积Ta(2 nm)/Pt(20 nm)[Co(t)/Pt(0.5 nm)]4/Pt(1.5 nm)的磁性多层膜。考察了Co层厚度及刚性Si、柔性PVDF和PI衬底对Co/Pt多层膜垂直磁各向异性的影响。结果表明,Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性随着Co的厚度增大而减弱,表现为磁畴尺寸随Co的厚度增大而减小。通过对比生长在刚性衬底与柔性衬底上的Co/Pt多层膜的磁各向异性常数、矫顽力、磁畴尺寸,发现制备的柔性Co/Pt多层膜仍保持优异的垂直磁各向异性,其垂直磁各向异性与刚性衬底上生长的薄膜相近。; 李梦超杨华礼; 关键词：垂直磁各向异性柔性衬底磁畴

高性能La-Co共替代M型永磁铁氧体的磁各向异性增强机理研究进展: 2024年; 自20世纪末以来,La-Co共替代的M型铁氧体备受关注,已成为高性能永磁铁氧体的基础材料.Co2+的未淬灭轨道矩被认为是增强铁氧体单轴各向异性的原因,但其微观作用机理尚未完全解释清楚.为了满足铁氧体材料日益增长的性能需求,理解其磁各向异性增强机理至关重要,并寻求从根源上的提升、低成本和高效的方法,以制定开发高性能产品的指导原则.本文综述了一系列研究工作,旨在确定Co离子在晶格中的取代位置,这是增强磁各向异性的关键.这些研究为进一步提高永磁铁氧体的磁性能提供了重要的材料设计参考.; 刘若水王利晨俞翔孙洋孙洋赵同云沈保根; 关键词：永磁铁氧体磁晶各向异性 CO

一种基于面内磁各向异性的太赫兹波发生器: 本发明涉及一种基于面内磁各向异性的太赫兹波发生器，包括飞秒脉冲激光器和面内磁各向异性多层膜，所述飞秒脉冲激光器位于面内磁各向异性多层膜的入光面一侧，用于产生飞秒脉冲激光；所述面内磁各向异性多层膜包括依次设置的绝缘衬底、铁...; 张宗芝张玉宋一雯武冠杰

电压控制磁各向异性的磁性隧道结: 本发明提供一种电压控制磁各向异性的磁性隧道结，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、诱导层和辅助层，自由层具有电压控制的磁各向异性，辅助层具有方向可变的垂直磁化，且辅助层的磁化方向与自由层的磁化方向相反；诱导层用于在自...; 石以诺李州张文彪

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