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一种AlGaN/SiC双色紫外探测器
本发明公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第...
谢峰杨国锋
紫外探测器热成像融合系统
本申请提供了一种紫外探测器热成像融合系统，涉及检测和成像技术领域，该融合系统，包括：控制器用于控制系统的运行；探测器模块用于探测目标物体紫外光的紫外辐射；预处理和压缩模块用于对探测器模块输出的紫外辐射的原始数据预处理和压...
龙雄峰邓凯文徐达艺蒋平唐雷鸣莫仲辉李杏黄志芳康钱江黄祯祥谢威李华轩林丽霞
极紫外探测器的研究进展
2024年
极紫外探测器在电子工业、空间探索、基础科学等领域有着无法替代的作用。本文综述了不同类型极紫外探测器的优势及研究进展,包括气体探测器、闪烁体、微通道板以及半导体极紫外探测器,重点介绍了具有优异抗辐照能力的宽禁带半导体极紫外探测器及其潜在的应用优势。最后,本文展望了极紫外探测器在耐辐照功率监测、高分辨极紫外成像和高抑制比极紫外微光探测等方面的应用前景,并指出了其面临的主要挑战。
郑伟张乃霁朱思琪张利欣蔡炜
关键词：探测器极紫外闪烁体气体探测器
一种紫外探测器及制备方法
本申请实施例提供一种紫外探测器及制备方法，涉及半导体器件技术领域，该紫外探测器包括：衬底层；第一有源层，设置于所述衬底层的一侧；第二有源层，设置于所述第一有源层远离所述衬底层的一侧，其中，所述第一有源层的带隙与所述第二有...
郑志华赵永明蹇鹏承吴峰戴江南陈长清
一种紫外探测器及其制备方法
本公开提供了一种紫外探测器及其制备方法，紫外探测器包括：硅衬底、氧化硅层、N+型硅掺杂层、硅基本征倍增层、氧化镓层、石墨烯层、氮化硅层、第一电极和第二电极；硅衬底、氧化硅层、N+型硅掺杂层、硅基本征倍增层、氧化镓层、石墨...
贺晨郑军崔金来吴亦旸成步文
紫外探测器热成像的融合方法
本发明涉及光学仪器技术领域，公开了一种紫外探测器热成像的融合方法，该方法包括：向紫外探测器发送第一控制信号，以使紫外探测器对目标物体进行检测，得到目标物体的紫外图像；向热成像组件发送第二控制信号，以使热成像组件对目标物体...
龙雄峰邓凯文徐达艺蒋平唐雷鸣莫仲辉李杏黄志芳康钱江黄祯祥谢威李华轩林丽霞
一种ZnO紫外探测器及其制备方法
本发明涉及紫外探测技术领域，具体涉及一种在ZnO薄膜上制备保护层的紫外探测器及其制备方法。本发明所述的一种ZnO紫外探测器的制备方法包括：在衬底上通过磁控溅射制备ZnO薄膜；在ZnO薄膜上采用PECVD沉积透明的SiO<...
卢云刘冰洁吴相宜
一种日盲紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种日盲紫外探测器及其制备方法，日盲紫外探测器包括衬底、设置在衬底表面的VO2层、设置在VO2层表面的Ga2O3层、设置在Ga2O3层表面的电极，电极呈梳状结构。本申请公开的上述技术方案，将异质结设置为VO2...
周长祺路远冯云松吴昌金伟陈友才马宏宇
一种AlN极紫外探测器及其制备方法
本发明提供的AlN极紫外探测器，从下至上依次包括衬底，N极性AlN层，Al极性AlN层，以及位于上表面的第一金属电极和第二金属电极；由于自发极化效应，在N极性AlN层中的自发极化强度方向垂直向上，而Al极性AlN层中的自...
蒋科方通孙晓娟黎大兵贲建伟张山丽
一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器
本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器，属于半导体光电子器件领域，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极，缓冲层设置在衬底上，N型欧姆接触层设置在缓冲层上，吸...
许伊曼王俊刘瀚宇李文浩李翰林
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申德振
作品数：454被引量：713H指数：13
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：紫外探测器 ZNO 光致发光 氧化锌 响应度
刘可为
作品数：119被引量：26H指数：4
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：紫外探测器 响应度 暗电流 日盲 有机镁化合物
张振中
作品数：193被引量：234H指数：9
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：紫外探测器 响应度 ZNO 暗电流 SUB
陈星
作品数：108被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：紫外探测器 响应度 暗电流 日盲 有机镁化合物
李炳辉
作品数：171被引量：185H指数：9
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题：紫外探测器 响应度 暗电流 锌源 氧化锌