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红外发光二极管被引量：1
1999年
方捷
关键词：红外发光二极管
一种红外发光二极管
一种红外发光二极管（10），其特征在于，具备：半导体发光系列（2），该半导体发光系列（2）具有交替地层叠有阱层（011）和垒层（012）的量子阱结构的活性层（006）、夹持所述活性层（006）的第1波导层（005）和第2...
蔡均富萧至宏
一种红外发光二极管和发光装置
本发明公开一种红外发光二极管和发光装置，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层自第一表面至第...
白景奇冯彦斌王进郭桓卲蔡坤煌吴超瑜王笃祥彭钰仁
红外发光二极管、封装体和发光装置
本发明公开红外发光二极管，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括依次堆叠的量子阱层和量子垒层，所述...
高文浩冯彦斌丘建生吴超瑜王笃祥
一种红外发光二极管封装结构及封装方法
本发明公开了一种红外发光二极管封装结构，包括：封装壳、反光斜面、芯片，芯片设置于反光斜面上，反光斜面上及芯片外设置有封装壳。该封装结构的封装方法，包括：将绝缘层贯穿，使得引线固定于绝缘层被贯穿处；将反光斜面固定于绝缘层上...
李少飞陈健平周伟伟刘钱兵杨凯
一种深红-近红外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法，其中深红‑近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴注入层采用有机注入材...
郭坤平丑幸幸唐喆周桐闫夏星薛涛张方晖
一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法
本发明公开一种正极性近红外发光二极管芯片的制备方法，包括：(1)在二极管外延片的上P面制备硅基介质层。(2)以该硅基介质层为掩膜，对外延片的N面化学减薄。(3)在减薄后的所述N面蒸镀金属，然后通过光刻、腐蚀、去胶，得到N...
吴向龙闫宝华王成新
一种高光效红外发光二极管外延片及其制备方法
本发明涉及一种高光效红外发光二极管外延片及其制备方法，采用15‑20组AlGaAs/[AlGa(In)AsP/AlGa(In)AsP]叠层交替生长的P型复合窗口层，替代了传统的单一厚AlGaAs窗口层。这一改进不仅缩短了...
请求不公布姓名
一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法
本发明涉及一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法，通过对对位标记位置的表面进行处理，破坏其与反射镜的粘附性，在衬底腐蚀中，剩余很薄的外延层会与永久衬底分离，同时将对位标记印在了反射镜金属上，因此可以直接用于后续...
吴向龙徐晓强闫宝华王成新徐现刚
红外发光二极管外延片及其制备方法和红外发光二极管
本发明提供一种红外发光二极管外延片及其制备方法和红外发光二极管，其中，所述红外发光二极管外延片包括依次层叠的：n型欧姆接触层、n型覆盖层、发光层、p型覆盖层、p型GaInP过渡层、p型Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
高文浩冯彦斌梁倩吴超瑜彭钰仁
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石践
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研究主题：行星减速器 力学特性 踝足矫形器 扭矩传感器 电机驱动器
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供职机构：西安电子科技大学
研究主题：噪声 低频噪声 辐照 MOSFET 虚拟仪器
刘亚锋
作品数：24被引量：1H指数：1
供职机构：陕西群力电工有限责任公司
研究主题：固体继电器 红外发光二极管 管壳 金属 印制电路板设计