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MR-TADF有机微晶自组装量子点、其制备方法及应用: 本发明涉及OLED技术领域，特别涉及一种MR‑TADF有机微晶自组装量子点、其制备方法及应用。其中，所述MR‑TADF有机微晶自组装量子点从内至外包括晶核层、过渡层和连接层；所述晶核层为MR‑TADF有机分子；所述过渡层...; 张赫铭毕海柯链宝

siRNA定向自组装量子点生物传感器及其检测方法和应用: 本发明提供一种siRNA定向自组装量子点生物传感器及其检测方法和应用。本发明通过量子点探针与靶标特异性结合形成siRNA，p19siRNA结合蛋白(p19)高亲和力特异性结合siRNA，从而形成QDs‑siRNAs‑p1...; 张春阳马飞姜苏

siRNA定向自组装量子点生物传感器及其检测方法和应用: 本发明提供一种siRNA定向自组装量子点生物传感器及其检测方法和应用。本发明通过量子点探针与靶标特异性结合形成siRNA，p19siRNA结合蛋白(p19)高亲和力特异性结合siRNA，从而形成QDs‑siRNAs‑p1...; 张春阳马飞姜苏; 文献传递

用于自然原子共振的应力量子调控自组装量子点单光子源被引量：3: 2019年; 针对量子存储应用中自组装量子点发射的光子与自然原子系综波长匹配难的问题,通过金-金热压键合技术将含有量子点的纳米薄膜与压电陶瓷进行集成,制作了应力调控的能量可调量子点单光子源,实验上分别实现了对可见光波段镓砷/铝镓砷量子点和近红外波段铟镓砷/镓砷量子点单光子量子比特在9.1meV和4.2meV范围内的宽谱调控.不仅如此,应用应力量子调控技术成功将镓砷/铝镓砷量子点的发光波长调节至铷-87自然原子的D2能级跃迁波长(780nm),以及将铟镓砷/镓砷量子点的发光波长调节至钒酸钇晶体中掺杂的钕离子的4I9/2→4F3/2跃迁吸收峰共振(879.7nm).该结果为实现基于半导体量子点和自然原子系综的量子存储器提供了一种强有力的调控技术.; 李杨陶略甘甫烷甘甫烷; 关键词：自组装量子点单光子源

基于自组装量子点的应力应变监测: 设备结构的应力应变的实时精确监测是保证其安全可靠运行的关键。量子点在受力状态下存在明显荧光响应。而量子点的荧光不稳定性和在基体材料中分布的无序性限制了其在结构健康监测领域的发展。<br>　　本文基于核壳CdS...; 张少甫; 关键词：量子点荧光强度温度稳定性

生物自组装量子点的光学性质、调控方法和合成机理: 量子点因其优异的光学和电学性质，在生物成像、生物传感、生物诊断、光学器件等方面具有广阔的应用前景。传统的化学合成方法往往涉及到高温、厌氧、有毒试剂、表面修饰反应过程，难以满足绿色、可持续发展的需求，因此，量子点的生物合成...; 田立娇; 关键词：量子点荧光特性生物合成; 文献传递

ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量: 2016年; 量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了ZnO量子点,并对该量子点的局域态密度进行了测量。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬底表面,直径约10~15nm;PL谱显示ZnO量子点的发光波长随量子点的直径增加而红移。采用STM/STS测量了ZnO量子点表面的局域态密度,并在部分量子点中观测到禁带中分立、对称的能级,结果分析表明这些禁带中的能级源自VO-VZn的形成。; 卢洋藩陈匆曾昱嘉叶志镇; 关键词：ZNO 金属有机化学气相沉积量子点局域态密度

MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续): 2008年; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：自组装量子点 INAS/GAAS INAS量子点 MBE GAAS(001)

InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响被引量：1: 2008年; 采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温发光波长超过1.3μm；在10-300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。; 孔令民姚建明吴正云; 关键词：INAS量子点时间分辨谱

MBE自组装量子点生长和结构形态研究被引量：1: 2008年; 综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：分子束外延量子点

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