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金薄膜辅助玻璃与砷化镓阳极键合: 2024年; 采用磁控溅射技术在砷化镓(GaAs)表面沉积一层厚度为1μm的金薄膜,将其作为中间层成功实现了Borofloat(BF33)玻璃与GaAs的连接。阳极键合实验结果表明键合电流在短时间内达到峰值,之后迅速降低并且稳定在一个很小的数值范围内,且键合电流峰值随着键合温度与键合电压的升高而增大。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对玻璃-GaAs键合界面进行微观形貌观察。结果表明键合界面良好,在400℃、700 V的条件下,玻璃-GaAs键合强度可达到1.53 J/m^(2),且键合强度随着键合温度与键合电压的升高而增大。; 张蕾阴旭刘翠荣刘淑文王强许兆麒; 关键词：阳极键合金薄膜键合界面

一种阳极键合装置及阳极键合工艺: 本发明提供一种阳极键合装置及阳极键合工艺，涉及阳极键合领域。其中，阳极键合装置包括键合腔室以及设置于键合腔室内的上盘组件和下盘组件，下盘组件用于承载晶圆对；上盘组件包括面电极和点电极，面电极和点电极择一地与电源的负极相连...; 陈鹏远姜保彧

一种硅片的阳极键合装置及其键合方法: 本发明公开了一种硅片的阳极键合装置及其键合方法，属于硅片键合技术领域，所述硅片一表面已键合第一玻璃片，所述键合装置将第二玻璃片键合至所述硅片的另一表面，所述第二玻璃片与阴极连接，所述第一玻璃片上设有孔位，所述键合装置包括...; 于见河宋义

基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶...; 叶超展孙珂杨恒李昕欣

基于阳极键合玻璃与铜的钎焊连接机理研究及其力学性能分析: 2024年; 以铝箔作为中间层,采用Sn-9Zn-3Bi钎料通过阳极键合及钎焊工艺成功地实现了玻璃与铜片的连接。利用扫描电镜观察了玻璃-铝-钎料-铜接头的微观组织,分别讨论了钎焊温度和钎焊时间对连接过程的影响以及钎料和铝、铜的界面反应演化机制。研究发现玻璃-铝-钎料-铜的连接界面良好,玻璃表面阳极键合的铝箔随钎焊时间的增加逐渐被消耗,当钎焊温度为240℃,钎焊时间为15 min时铝箔消耗完毕。钎料与铜在240℃钎焊温度下随钎焊时间的延长依次出现Cu_(5)Zn_(8)和CuZn_(5)金属间化合物层,且随钎焊时间的延长Cu_(5)Zn_(8)金属间化合物层厚度逐渐增加,CuZn_(5)金属间化合物层由锯齿状逐渐变平缓。研究发现随钎焊温度升高,铝箔同样被逐渐消耗,界面处生成的金属间化合物层厚度也逐渐增加,且CuZn_(5)金属间化合物层锯齿状更加明显。通过剪切试验发现玻璃-铜接头的剪切强度随钎焊时间的延长呈先增加后降低的趋势,在钎焊时间为10min时剪切强度具有最大值20.29 MPa,断裂发生在玻璃基体内部,说明玻璃与铜实现了可靠连接。; 贾旭胡利方李子昊郑植刘伟张鹏; 关键词：阳极键合钎焊铝铜

一种基于阳极键合技术的MEMS压电水听器及制备方法: 本发明公开了一种基于阳极键合技术的MEMS压电水听器及制备方法，解决了传统压电水听器量程小、灵敏度低、低抗干扰能力差的问题。本发明包括通过阳极键合技术形成有真空密闭空腔的基片以及有上下电极的压电层。单个工作区内的所有振动...; 张志东薛晨阳郑永秋崔丹凤张增星王强赵龙杨婷婷

一种阳极键合方法: 本发明公开了一种阳极键合方法，在键合时会将金属层与电极相接触，同时该电极会与直流电源的正极电连接；并将待键合晶圆与底盘相接触，同时该底盘会与直流电源的负极电连接。在键合过程中，会通过直流电源在电极以及底盘之间施加预设电压...; 王盛凯王英辉

一种阳极键合装置: 本发明提供一种封装键合装置包括，封装工作台，封装工作台的内部固定安装有真空系统，封装工作台上固定安装有位于真空系统一侧的翻盖机构，封装工作台顶端的一侧固定安装有与真空系统相连的真空室，封装工作台顶端的另一侧固定安装有多层...; 曲绍芬段文宽高光伟辛岩

一种阳极键合装置: 本发明提供一种封装键合装置包括，封装工作台，封装工作台的内部固定安装有真空系统，封装工作台上固定安装有位于真空系统一侧的翻盖机构，封装工作台顶端的一侧固定安装有与真空系统相连的真空室，封装工作台顶端的另一侧固定安装有多层...; 曲绍芬段文宽高光伟辛岩

一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法: 本发明公开了一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法。该方法包括原料的表面清洗过程、原料的表面活化过程、热引导预连接过程、梯度电场阳极键合过程以及封边保护过程。本发明一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法，其实...; 阴旭刘翠荣赵浩成孟庆森杜超赵为刚孟员员

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