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一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法，所述改善系统包括炉膛(1)和套设于炉膛(1)外侧的加热模块(2)；所述炉膛(1)沿其轴向分为中部炉膛(11)和端部炉膛(12)，加热模块(2)包括与中部炉膛(11)对...; 刘昊张继军刘皖平位炯炯

VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化: 2023年; 基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在放肩段得到最平坦的固液界面。随着生长进行,不同角度下固液界面的形态差异逐渐减小,在主体生长中所有界面形状趋于一致。根据模型参数进一步实施了CdZnTe晶体的生长实验,结果表明,在90°/120°/150°三种放肩角度中,120°放肩时晶锭头部的单晶率更高。; 上官旻杰袁文辉梁红昱汪帅饶吉磊万佳琪黄立; 关键词：碲锌镉晶体数值模拟

亚禁带光照对CdZnTe晶体中晶界电场分布的影响: 2022年; 晶界是限制CdZnTe核辐射成像探测器大面积应用的主要缺陷之一.为了探究改善晶界附近电场分布特性的方式,本文采用Silvaco TCAD从理论上研究了亚禁带光照对于含晶界CdZnTe探测器内电场分布的影响.仿真结果表明,在无偏压下,亚禁带光照能使得晶界势垒降低,从而减小对载流子传输的阻碍作用.在外加偏压下,亚禁带光照使得晶界引起的电场死区消失,使其电场分布趋向于线性分布.同时研究了不同波长和不同强度的亚禁带光照对于晶界电场分布的影响,结果表明光强低于1×10^(-9)W/cm^(2)时,亚禁带光照对于CdZnTe晶体的电场无调节作用.而在波长850 nm,光强1×10^(-7)W/cm^(2)的亚禁带光照下,实现了更平坦地电场分布,因此可有效地提高器件的载流子收集效率.仿真结果为调节晶界电场分布提供了理论指导.; 陈伟龙郭榕榕仝钰申刘莉莉周圣岚林金海; 关键词：CDZNTE 晶界

CdZnTe晶体缺陷的交流阻抗谱研究: 2020年; 宽禁带II-VI族半导体化合物碲锌镉(CdZnTe)晶体是制备室温X和γ射线探测器的理想半导体材料,但其晶体缺陷特性对探测器性能有重要的影响,一直是人们研究的热点与难点。文中采用垂直布里奇曼法生长了CdZnTe晶锭,XRD测试表明晶片呈现(111)取向。通过测试样品不同温度下的交流阻抗谱,研究了晶体缺陷的阻抗特性。结果表明,制备的CdZnTe单晶具有负温度系数效应,化学法制备的Au电极与晶片之间形成了欧姆接触,没有出现电极界面和晶界对阻抗谱曲线影响,晶粒导电机制占主导。利用Arrhenius方程拟合曲线获得晶体缺陷的激活能为0.48 eV,表明晶体缺陷以Cd空位为主。; 牟浩谢经辉刘雨从王丁沈悦王林军; 关键词：碲锌镉晶体缺陷激活能交流阻抗谱

CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布特性的影响: 2020年; CdZnTe晶体内的空间电荷积累效应是影响高通量脉冲型探测器性能的关键因素.为了探索CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布及器件性能的影响规律,本文采用Silvaco TCAD软件仿真了CdZnTe晶体内包含位置为E_v+0.86 eV,浓度为1×10^12 cm^-3的深施主能级缺陷TeCd^(++)时,其空间电荷分布及内电场分布特性.仿真结果表明,随着外加偏压的增加,Au/CdZnTe/Au的能带倾斜加剧,使得晶体内深能级电离度不断增加,空间电荷浓度增加,电场分布死区减小,从而有利于载流子收集.此外,保证CdZnTe晶体高阻的前提下,降低深能级缺陷(Ev+0.86 eV)浓度可使内电场死区减小.深能级缺陷位置为Ev+0.8 eV,亦可以减少阴极附近的空间电荷浓度,使得电场分布更加平坦,死区减小,从而有效地提升载流子的收集效率.; 郭榕榕林金海刘莉莉李世韦王尘林海军; 关键词：深能级缺陷空间电荷

In掺杂CdTe/CdZnTe晶体的光学评价机制探讨被引量：2: 2019年; 通过改进的垂直布里奇曼法(MVB),引入铟(In)元素掺杂,在Te过量条件下生长CdTe:In和CdZnTe:In晶体,对比研究了两种晶体的质量、电学性能与光学性能之间的关联.结果表明,晶体的结晶质量和电学性能优劣可通过晶体光学性能结果给出定性评价.一方面,CdZnTe:In晶体的红外透过率高,达到了63%,接近于理论值,同时晶体中富Te相的形貌与尺寸相似、分布均匀,故CdZnTe:In晶体的结晶质量较好,相应的晶体电阻率达到了109数量级,电学性能较好.另一方面,CdZnTe:In晶体的光致发光谱中出现的(D0,X)峰较尖锐,半峰宽约为8.6meV,且谱峰中相邻的FE峰清晰可见,这表明CdZnTe:In晶体中Te夹杂/沉淀数量少,晶体具有高阻特性.; 李涛南瑞华坚增运李晓娟李金华朱金花; 关键词：CDTE CDZNTE 掺杂光学性能

地面条件下分离结晶生长CdZnTe晶体的稳定性控制: 2019年; 本文采用四阶龙格-库塔法对地面分离结晶生长CdZnTe晶体过程中气液界面形状及熔体-坩埚气缝宽度进行了模拟,讨论了α_e+θ_c<180°和α_e+θ_c> 180°时影响气液界面形状及气缝宽度的控制因素。采用线性回归方法对模拟结果进行了分析,得到了地面条件下分离结晶稳定生长的影响因素和控制条件。即:只有满足熔体冷-热端气压调节与结晶速率成线性变化,才能维持稳定的分离结晶。; 李震张全壮; 关键词：稳定性控制龙格-库塔法

CdZnTe晶体热激电流谱分析被引量：1: 2018年; 热激电流谱测试技术(TSC)是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度(E_(a,i)),浓度(N_i)以及俘获截面(σ_i)等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrhenius公式作图法和同步多峰分析法(SIMPA)对热激电流谱数据处理的差异及影响规律。结果表明,Arrhenius公式作图法在陷阱能级深度确认方面较为准确,但需要通过多次变升温速率提高其准确性,实验操作周期较长,并且无法分解热激电流谱峰重叠的情况。相比之下,同步多峰分析法能够通过单次温度扫描的数据处理得到E_(a,i),N_i及σ_i等陷阱参数,所需实验周期较短。但β,E_(a,i),σ_i和载流子迁移率寿命积(μt)等参数的选择对谱峰的位置,幅值及峰宽影响较大。初值的设定对拟合结果和数据吻合程度影响显著。此外,红外透过成像结果表明,头部样品Te夹杂相的浓度较低且呈现明显的带状分布,而尾部样品夹杂相浓度呈均匀分布。通过对比不同样品的热激电流谱测试结果发现,尾部样品浅能级陷阱浓度远高于头部样品,且其低温光电导弛豫过程呈现明显的曲线变化规律。这一研究结果表明,Te夹杂相的分布及浓度可能会导致晶体内部浅能级缺陷的浓度变化,并且浅能级缺陷对光激发载流子的俘获时间更长,去俘获时间更短。; 符旭王方宝徐凌燕徐亚东介万奇; 关键词：碲锌镉深能级缺陷

CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质: 2018年; 为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密,接触势垒的高度较低,电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915,势垒高度由0.492降低至0.487 e V。交流阻抗谱分析表明,化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒,这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。; 谢经辉刘雨从王超殷子薇陈嘉栋邓惠勇沈悦王林军张建国戴宁; 关键词：碲锌镉欧姆接触交流阻抗谱

CdZnTe晶体的移动加热器法生长、缺陷分析及光电性能表征: 三元化合物半导体Cd1-xZnxTe(简称CdZnTe或CZT)晶体因其优异的光电性能，被认为是最有前景的室温核辐射探测器材料，在能谱测量和成像领域备受重视。然而，在CZT晶体生长过程中易引入大量缺陷，尤其是晶界、Te夹...; 周伯儒; 关键词：CDZNTE晶体移动加热器法; 文献传递

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