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基于双掩码技术的抗功耗攻击CMOS电路设计: 2024年; 为增强现有差分传输管预充电逻辑(differential pass-transistor pre-charge logic,DP^(2)L)电路结构的抗功耗攻击性能,设计并开发了一种改进型DP^(2)L电路。与改进前电路相比,改进型DP^(2)L电路在不同输入信号下晶体管的导通数目保持相同,从而表现出更好的功耗恒定性能。在此基础上,进一步设计了双轨双掩码差分传输管预充电逻辑(double masked differential pass-transistor pre-charge logic,DMDP^(2)L)电路。该电路不仅改善了原有电路的功耗恒定特性,而且引入的双掩码具有随机性,加大了攻击者获取电路运算结果的难度。模拟结果表明,设计的双轨DMDP^(2)L电路较其他3种同类型逻辑电路的标准化能量偏差(normalized energy deviation,NED)分别减小了11.33%,5.19%和3.06%,表明其具有更好的功耗恒定特性和抗功耗攻击能力。; 姚茂群李海威李聪辉薛紫微; 关键词：功耗攻击

一种CMOS电路的仿真构建方法及CMOS电路: 本申请公开了一种CMOS电路的仿真构建方法及CMOS电路，属于CMOS电路的仿真设计领域，该方法通过在单电压模式的第一CMOS电路模型的输入端增加电压补偿电路模型、电压传输电路模型和电压模式选择电路模型，构建得到多电压模...; 赵转平陈憬怀张志向刘雪峰强昭珺

CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS...; 黄继伟郭屹粟刘皓宇金靖王科平

一种调节精度的可调整高频振荡器CMOS电路及调节方法: 本发明提供了一种调节精度的可调整高频振荡器CMOS电路及调节方法，整体电路采用CMOS工艺，电路通过电流源部分、环形振荡器VCO部分、电压比较部分、OSC精度与频率调整部分和逻辑控制部分设计，对芯片进行输出频率的修调和线...; 边疆张适郭毅

集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法: 公开了一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；CMOS电路，位于第一区域内，包括源极和漏极以及栅叠层；热电堆传感器，位于第二区域内，包括热电偶电极；层间介质层，覆盖CMOS...; 孙伟闻永祥刘琛李佳

CMOS电路板及机器视觉设备: 本申请公开了一种CMOS电路板及机器视觉设备，该CMOS电路板包括：固定块，具有沿第一方向相对设置的正面和背面，固定块上设置有贯穿正面与背面的配合孔；主电路板，设置在固定块的背面上，主电路板具有沿第一方向相对设置的第一面...; 舒文亮李帅唐亮

N型及P型MOS管、CMOS电路、芯片及其制作方法: 本申请实施例提供了一种N型及P型MOS管、MOS电路、芯片及其制作方法，该N型MOS管包括：由多层不同掺杂的硅或锗硅组成的第一基本结构，第一基本结构上具有在垂直方向具有贯穿孔的第一环形结构；位于第一环形结构内与第一环形结...; 戴瑾王文奇

用于40纳米5V-CMOS电路的ESD防护装置: 本发明公开了一种用于40纳米5V‑CMOS电路的ESD防护装置，包括：P型衬底，P型衬底上设置有相邻的N阱和P阱；其中，N阱内从左至右依次设有第一N+注入区、第一浅沟槽隔离区以及第一P+注入区；N阱和P阱之间跨接有第二P...; 陈燕宁刘红侠郭丹陈瑞博付振刘芳

CMOS电路结构、阵列、非门结构、工艺方法及设备: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种CMOS电路结构、阵列、非门结构、工艺方法及设备，该CMOS电路结构包括位于衬底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管；所述第一晶体管包括依...; 王海玲戴瑾王祥升宋艳鹏王桂磊赵超

氧化物薄膜晶体管在电致变色显示及薄膜CMOS电路应用研究: 与非晶硅、低温多晶硅和有机半导体相比，氧化物半导体具有迁移率较高(1-100cm2V-1s-1)、可低温甚至室温制备(因而易于在塑料等柔性衬底加工)、可大面积均匀加工、工艺成本低、带隙宽等优点，在柔性薄膜显示及集成电路等...; 包德宇; 关键词：薄膜晶体管氧化物半导体

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