搜索到594篇“ INGAAS/GAAS量子阱“的相关文章
基于InGaAs/GaAs量子结构的辐射标定因子实验研究
2023年
辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发射结构两侧辐射的光致发光(PL)光谱,利用构建的理论公式,获得了该结构在不同注入载流子浓度下的辐射标定因子,均值波动范围约为7.16×10^(10)~3.36×10^(11)W^(-1)·eV^(-1)·s^(-1)。最后利用固体模型理论和载流子填充规律对该结果进行了分析,揭示了该结构在不同热平衡状态下的非平衡载流子能带填充水平,以及电子和空穴准费米能级的变化规律。该项研究提出了一种测量辐射标定因子的新方法,在揭示发光材料辐射机制和推动激光器发展方面具有较重要研究价值。
王伟杨舒婷汪雅欣王宇轩王茹于庆南
关键词:INGAAS/GAAS光致发光光谱
1053 nm InGaAs/GaAs量子高速超辐射发光二极管的制备与性能研究
超辐射发光二极管(SLD)是一种让自发辐射的光子在给定腔体中传播时受增益增大(以内部单程增益为特征)的光发射器件,其光学性质介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间,具有光谱宽、相干性弱、功率大、效率高等优点,因此,...
段利华
关键词:超辐射发光二极管量子阱结构发光性能散热性能
文献传递
852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子的温度稳定性被引量:4
2012年
为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子的增益,模拟对比并研究了不同量子的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In0.15Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In0.15Ga0.74Al0.11As单量子852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果。
徐华伟宁永强曾玉刚张星秦莉刘云王立军
关键词:ALGAINAS
InGaAs/GaAs量子光致发光谱研究
本论文“InGaAs/GaAs量子光致发光谱研究”的主要内容有三部分。包括:1.量子结构特点,分子束外延系统制备材料方法以及荧光光谱原理介绍:2.自组装荧光光谱实验光路系统介绍及各部分对测量效果的影响;3.通过荧光光...
范伟
关键词:INGAASGAAS量子阱光致发光谱快速热退火分子束外延
文献传递
生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子光学特性的影响被引量:6
2008年
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。
贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪
关键词:应变量子阱偏析光致发光谱
InGaAs/GaAs量子中自组装InAs量子点的光学性质被引量:1
2007年
在InGaAs/GaAs量子中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性。研究发现,InGaAs量子层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰。在量子中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV。
孔令民姚建明吴正云
关键词:时间分辨谱
用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子结构被引量:3
2006年
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。
杨艳薛晨阳张斌珍张文栋
关键词:分子束外延超晶格半导体X射线双晶衍射
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子的影响被引量:3
2005年
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).
苗振华徐应强张石勇吴东海赵欢牛智川
关键词:分子束外延快速热退火
应变InGaAs/GaAs量子MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用被引量:7
2005年
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子。研究了生长温度、生长速度对量子光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。
俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光地
关键词:光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积
应变InGaAs/GaAs量子MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子.研究了生长温度,生长速度对量子光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子生长条件应用于980nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19...
俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光地
关键词:光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积
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相关作者

牛智川
作品数:362被引量:242H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
李建军
作品数:138被引量:221H指数:8
供职机构:北京工业大学
研究主题:半导体激光器 MOCVD 布拉格反射镜 隧道结 共振腔
廉鹏
作品数:53被引量:111H指数:7
供职机构:北京工业大学
研究主题:半导体激光器 隧道再生 垂直腔面发射激光器 MOCVD 多有源区
张晓阳
作品数:312被引量:42H指数:4
供职机构:山东大学
研究主题:SUB 光催化剂 光催化材料 催化剂 光生载流子
沈光地
作品数:445被引量:983H指数:12
供职机构:北京工业大学
研究主题:半导体激光器 垂直腔面发射激光器 发光二极管 红外探测器 MOCVD