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基于SOI结构的压阻式压力传感器的制备及性能研究
微机电制造技术的发展带动了MEMS(Microelectromechanical Systems,微机电系统)压力传感器在低压测量方面的应用,高性能的压力传感器被广泛研究,并逐渐向小型化和高温方向发展。基于压阻效应的压力...
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从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法
本申请涉及从绝缘层上硅(SOI)结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法。本发明公开从SOI结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液...
C·R·洛茨S·G·托马斯H·F·埃尔克
基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法
本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RES...
郭宇锋刘安琪李曼姚佳飞张珺杨可萌张茂林
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SOI结构上MOS晶体管
本公开涉及SOI结构上MOS晶体管。一种器件包括有源半导体层，所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所...
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一种具有浅沟槽隔离的SOI结构及制备方法
本发明公开的一种具有浅沟槽隔离的SOI结构，包括衬底和位于衬底中的浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离包括位于衬底中的沟槽和填充在沟槽中的绝缘层；其中，所述沟槽包括M个沟槽子单元，每个沟槽子单元对应一个器件区域，所述沟槽子单元为V...
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基于SOI结构的冷源MOS晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于SOI结构的冷源MOS晶体管及其制备方法，该冷源MOS晶体管的源端为P‑metal‑N结构，该冷源MOS晶体管的制备方法包括：制备SOI硅片；在SOI硅片表面生长SiO<Sub>2</Sub>；在需要金...
刘飞张力公
用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法
本发明涉及一种由单晶硅制成的载体衬底(10)，载体衬底(10)具有正面(10a)和背面(10b)，并且包括：‑从正面(10a)延伸到800nm至2微米之间的深度并具有通过基于暗场反射显微镜的表面检查而检测到的少于10个晶...
I·伯特兰F·阿利伯特R·布韦龙W·施瓦岑贝格
一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法
本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P<Sup>‑</Sup>区，在P<Sup>‑</Sup...
徐航杨雅芬朱颢张卫
从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法
本发明公开从绝缘层上硅结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液且向所述结构的边缘区域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。
C·R·洛茨S·G·托马斯H·F·埃尔克
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研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
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