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- 一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件
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- Y型栅的制备方法及其制备的Y型栅
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- 张大勇苏永波金智
- T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
- 2025年
- T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结果深入剖析了T型栅PMOS器件跨导双峰效应的内部机理,并从温度、主栅尺寸和次栅尺寸三个方面分析阐述了其对双峰效应的影响。最终,基于T型栅PMOS器件版图结构,提出了一种可抑制双峰效应的改进方案,通过了仿真和流片验证,可以很好地用于SOI工艺T型栅PMOS结构电路设计中。
- 彭宏伟赵小寒陈祎纯陈睿凌王青松徐大为
- 关键词：SOITCAD
- 一种基于原子层沉积半导体沟道的T型栅FET生物传感器
- 本发明提出一种基于原子层沉积半导体沟道的T型栅FET生物传感器，包括衬底，所述衬底的表面间隔设有若干T型金属层，所述衬底及若干T型金属层上裹覆有高k介质层，所述高k介质层上裹覆有氧化物半导体沟道层，所述沟道层的两端设有可...
- 李调阳林本慧
- 一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法
- 本发明公开了一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法，包括步骤：在晶圆片上沉积钝化介质层；在钝化介质层上依次沉积牺牲层、刻蚀停止层；在刻蚀停止层上涂敷光刻胶，通过曝光和显影定义一次栅脚区域；刻蚀一次栅脚区域的刻蚀停止层和牺牲层，...
- 张亦斌孙远梁宗文吴少兵章军云
- 一种利用双层介质结构制作双台阶T型栅的方法
- 本发明公开了一种利用双层介质结构制作双台阶T型栅的方法，包括：在氮化镓外延材料上利用LPCVD在高温下生长第一层氮化硅介质并将晶圆全覆盖，以隔离栅工艺前层所可能引入的杂质及表面态；对完成源漏电极和隔离工艺的器件，通过PE...
- 张峻峰
- 具有槽型栅和平面栅双沟道P型漂移区反型型的LDMOS结构及其制备方法
- 本发明公开了一种具有槽型栅和平面栅双沟道P型漂移区反型型LDMOS结构及其制备方法，主要解决现有技术器件关断特性和导通电阻两者之间的矛盾关系。其包括：P型衬底、N型漂移区、P型基区、N+漏区、积累介质层、顶层硅、源极、漏...
- 段宝兴任宇壕唐春萍杨银堂
- 碳化硅基H型栅功率器件及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基H型栅功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有p+型源区以及...
- 刘国梁 郭汉玉 樊永辉 许明伟 樊晓兵
- 一种自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制备方法
- 本发明公开了自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制作方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层、沟道层、缓冲层采用三族氮化物半导体。势垒层上方设置有栅电极，形状为T型；在栅电极两侧，部分所...
- 刘志宏王仝李振元周瑾危虎吴银河杜航海邢伟川张进成郝跃
