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一种半导体器件的UIS测试电路和UIS测试方法
本申请涉及半导体检测领域，公开了一种半导体器件的UIS测试电路和UIS测试方法，该UIS测试电路包括：电源、电容、第一开关管、电感、续流二极管、被测器件和陪测管电路，其中，陪测管电路包括并联的第一陪测管和第二陪测管，第一...
赵旭毛赛君刘弘耀
一种高UIS耐性的VDMOSFET器件及其制备方法
本发明涉及VDMOSFET半导体技术领域，且公开了一种高UIS耐性的VDMOSFET器件，包括Mos半导体结构，该Mos半导体结构，该Mos半导体结构由多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞组成，并且所有MOS元胞的栅...
许一力
SiC基功率MOSFET器件UIS应力及短路退化机理研究
高崇兵
一种提高UIS耐性的VDMOS器件及其制备方法
本发明涉及一种提高UIS耐性的VDMOS器件及其制备方法，器件包括：N+衬底层；第一N‑外延层；第一P+注入区，位于第一N‑外延层的上表层中且位于第一N‑外延层的边缘；第二N‑外延层，位于第一N‑外延层的上表面且覆盖第一...
何艳静郗琦袁昊宋庆文汤晓燕弓小武张玉明
一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法，所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极(1)、N<Sup>+</Sup>衬底(2)、N<Sup>‑</Sup>外延层(3)、电流扩展层(4)、P...
程新红汪胜鑫郑理
一种通过连接孔改善UIS的方法及功率器件
本发明公开了一种通过连接孔改善UIS的方法及功率器件。该方法在介质层上侧进行孔涂胶及曝光处理，在第一混合气体下将源区上侧的介质层和栅氧化层刻蚀出第一连接孔；在第二混合气体下将第一连接孔下侧的源区和体区内刻蚀出第二连接孔；...
张雨陈虞平胡兴正刘海波
p-GaN gate HEMT非钳位感性负载开关（UIS）特性及器件可靠性研究
王凯弟
UIS视角下军校形象塑造对策研究
2023年
良好的大学形象是一所大学无形的名片和招牌。大学形象识别系统UIS(university identity system)包括理念识别、行为识别和视觉识别三个维度,是内在精神与外在呈现相统一的形象识别和表达,有助于形成独特的军校形象,有助于提升学员职业认同。客观分析N大学有关做法,并从迭代升级办学理念、打造特色育人品牌、创新设计视觉标识三个层面对加强军校形象塑造提出了研究对策。
张超张照星
关键词：视觉识别
一种半导体器件的UIS测试电路和UIS测试方法
本申请涉及半导体检测领域，公开了一种半导体器件的UIS测试电路和UIS测试方法，该UIS测试电路包括：电源、电容、第一开关管、电感、续流二极管、被测器件和陪测管电路，其中，陪测管电路包括并联的第一陪测管和第二陪测管，第一...
赵旭毛赛君刘弘耀
UIS测试装置及其使用方法
本发明提供一种UIS测试装置，包括探针台、测试处理终端、第一、二开关、第一、二测试模块、位于晶圆上的MOS器件；其中，探针台用于装载晶圆以及将MOS器件的有效信息发送至测试处理终端；测试处理终端分别通过第一、二开关与第一...
李晶晶谢晋春李亮
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汤晓燕
作品数：339被引量：93H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
张玉明
作品数：990被引量：447H指数：11
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
何艳静
作品数：95被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 碳化硅 FET器件 肖特基接触 欧姆接触
宋庆文
作品数：333被引量：17H指数：2
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
叶李娜
作品数：6被引量：13H指数：3
供职机构：中共温州市委
研究主题：大学形象 UIS CI战略 大学品牌 办学实体