搜索到54篇“ VMOSFET“的相关文章
SiC功率VMOSFET的辐射效应研究
碳化硅(SiC)材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、高频、高温电子器件领域具有竞争力。SiC垂直金属-氧化物半导体场效应晶体管(VM...
陈资文
关键词:单粒子烧毁总剂量效应
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具有大表面积闸极的VMOSFET芯片
一种具有大表面积闸极的VMOSFET芯片,包括:一芯片本体;其中该VMOSFET芯片的源极与门极配置在该芯片本体的上方,而该VMOSFET芯片的汲极则配置在下方;其中该闸极的面积大于3mm×3mm;此面积使得导线可以很容...
张崇健费龙庆
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低导通电阻800VMOSFET
2015年
800VSuperFET Ⅱ MOSFET系列提供广泛的可选封装并拥有超低的导通电阻和输出电容。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
关键词:低导通电阻MOSFET输出电容击穿电压设计师可靠性
A NEW BURIED-GATE VMOSFET WITH SUPPRESSED OVERLAP CAPACITANCE AND IMPROVED ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THIS STUDY PRESENTS A NEW BURIED-GATE VERTICAL MOSFET (BGVMOS) WITH SUPPRESSED OVERLAP CAPACITANCE AND IMPROVE...
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新颖的N沟道VMOSFET驱动电路
2005年
普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上.导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动.称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形.源极制馓在栅极的两边.栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形.漏极电流垂直向源极流动.到达表面时沿V形导电沟道流到源极S.故称为VMOSFET
贾树行
关键词:N沟道VMOSFET半导体材料场效应管工作电流漏极电流
应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制
2004年
针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验 ,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法 ,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。
高嵩庹先国任家富
关键词:VMOSFET直流电机电枢绕组场效应管
用于电机的VMOSFET驱动电源
1998年
论述采用N沟道VMOS开关管构成的功率步进电动机驱动电源的设计,给出了电源中的斩波限流电路和调频调压电路.实验证明,该新型驱动装置的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品.
黄友锐魏庆农刘建国谢品华
关键词:步进电机驱动电源场效应晶体管
半桥逆变式功率VMOSFET超声电发生器的研制被引量:10
1998年
本文介绍了一种用于超声波电火花复合加工的超声电发生器,它以功率VMOS场效应管作为开关元件,以单片集成电路TL494作为信号源的控制核心.发生器具有工作稳定可靠、重量轻的特点.
朱武金长善孙丽威
关键词:驱动电路超声波加工电火花加工
用于电机的 VMOSFET 低压驱动电源被引量:2
1997年
论述了开关管采用n沟道VMOSFET构成中功率步进电机低压驱动电源的设计;给出了斩波开关控制电路、运行或锁定稳态电流自调节电路、边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。
郑福林黄云鹰李元密林胜福
关键词:步进电动机场效应晶体管VMOSFET
零件分类编码系统信息浅析被引量:6
1997年
本文阐述了零件分类编码系统在成组技术中的重要性,并从编码分类系统的结构、信息源、译码机能等方面对常见的几种分类编码系统的信息进行分析。
崔敏
关键词:成组技术分类编码系统译码

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徐国治
作品数:95被引量:366H指数:10
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研究主题:嵌入式系统 可靠性 软件REJUVENATION MARKOV模型 虹膜识别
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作品数:69被引量:78H指数:4
供职机构:西安交通大学
研究主题:矢量量化 信息隐藏方法 像素 载体图像 可逆信息隐藏
刘建国
作品数:1,026被引量:3,308H指数:29
供职机构:中国科学院合肥物质科学研究院
研究主题:光谱学 激光诱导击穿光谱 气溶胶 激光雷达 FTIR
尹成群
作品数:96被引量:596H指数:14
供职机构:华北电力大学电气与电子工程学院
研究主题:海底电缆 电力系统 混沌 负荷预测 功率因数
谢品华
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供职机构:中国科学院合肥物质科学研究院
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