-
樊中朝
-
-
- 所属机构:中国科学院半导体研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 杨富华
- 作品数：465被引量：243H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
- 王晓东
- 作品数：405被引量：1,086H指数：17
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
- 何志
- 作品数：30被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
- 陈少武
- 作品数：131被引量：203H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 光开关
- 余金中
- 作品数：296被引量：536H指数：11
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：SOI 光开关 硅基 英文 波导
