胡成余
作品数: 14被引量:9H指数:2
  • 所属机构:北京大学
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家高技术研究发展计划

相关作者

张国义
作品数:382被引量:506H指数:10
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
胡晓东
作品数:87被引量:108H指数:6
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
陈志忠
作品数:179被引量:302H指数:9
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 激光剥离 衬底
秦志新
作品数:122被引量:177H指数:6
供职机构:北京大学
研究主题:位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
杨志坚
作品数:174被引量:185H指数:8
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底