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臧国忠
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- 所属机构:聊城大学材料科学与工程学院
- 所在地区:山东省 聊城市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 王矜奉
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- 研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
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- Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响被引量：3
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- 烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华高建鲁
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- 研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠赵春华
- 关键词：SNO2二氧化锡压敏电阻击穿电压钴掺杂
- 复合法制备的(K_(0.48)Na_(0.52))_(1-x)(LiSb)_xNb_(1-x)O_3无铅压电陶瓷性能研究
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- 采用传统的固相反应法和普通的烧结工艺,分别制备了(K0.48Na0.52)1-x(LiSb)xNb1-xO3(x=0.055,0.060,0.065)和x=0.055,x=0.065按摩尔比1:1复合的无铅压电陶瓷样品(55-65),并对样品的压电、介电等性能进行了测试研究.实验结果表明:55-65不等同于x=0.060的组分,其压电性能远低于x=0.060的样品,进一步研究表明,相同烧结温度下,55-65样品的损耗较高,晶粒难以生长,相对较小,较小的晶粒可能在样品形变时产生的应力较大,这可能是55-65样品压电性能较低的原因.
- 刘燕燕臧国忠郭晴王燕
- 关键词：无铅压电陶瓷KNN温度稳定性压电常数
- (Sr,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的电学非线性被引量：7
- 2003年
- 研究了Sr对新型 (Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏材料微观结构和电学性质的影响 .当SrCO3的含量从零增加到1 5 0mol%时 ,(Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏电阻的击穿电压从 2 4 0V mm猛增到 14 82V mm .样品的微观结构分析发现 ,当SrCO3的含量从零增加到 1 5 0mol%时 ,SnO2 的晶粒尺寸迅速减小 .晶界势垒高度测量揭示 ,SnO2 晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因 .对Sr含量增加引起SnO2 晶粒减小的根源进行了解释 .掺杂 1 5 0mol%SrCO3的SnO2 压敏电阻非线性系数为 2 1 4 ,击穿电压高达 14 82V
- 亓鹏王矜奉陈洪存苏文斌王文新臧国忠王春明
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- 指出了高温下晶格振动热容理论中爱因斯坦模型与德拜模型的异同之处.理论分析发现,高温下晶格振动能与振动模式近似无关.解释了在相去甚远的假设前提下,两种晶格振动热容理论模型的结果在高温下一致的原因.
- 臧国忠陈起静
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- Sb对Li掺杂的KNN无铅压电陶瓷性质的影响被引量：5
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- 采用传统工艺制备了无铅压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.45)Li_(0.05))Sb_xNb_(1-x)O_3,研究了Sb掺杂对其压电、铁电、介电等性质的影响.实验结果表明,样品的居里点(T_C)、正交-四方相变温度(T_(T-O))均随Sb含量的增加而降低,掺杂7 mol%Sb时,样品的居里点从454℃降至345℃,T_(T-O)从100℃降至室温以下.Sb^(5+)的引入限制了晶粒的生长,但提高了样品的致密度,从而提高了样品的压电、铁电性能.组分为(Na_(0.5) K_(0.45)Li_(0.05))Sb_(0.05)Nb_(0.95)O_3的样品具有较为优异的性能:d_(33)=241 pC/N,Q_m=50,k_p=38.3%,d_(31)=-83 pC/N,g_(31)1=-0.08 Vm/N,P_r=17μC/cm^2,同时,该组分样品表现最"软",具有相对最高的弹性柔顺常数S_(11)~E=14.2.
- 臧国忠孙洪元孙天华王文文
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- 研究环境协调性好的电子材料及其制品已是紧迫任务。铅污染已成为人类公害之一,铋也是毒性物质,对生态环境和人类健康也造成损害,且铋的生产导致了铅和铋的双重污染。本文分析了把铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷加以研究的理由,并采用适合...
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- 文献传递
- (Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响被引量：14
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- 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。
- 陈洪存王矜奉臧国忠苏文斌王春明亓鹏
- 关键词：半导体技术残压比
