-
程伟
-
-
- 所属机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 所在地区:江苏省 南京市
- 研究方向:电子电信
相关作者
- 赵岩
- 作品数：19被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：旋涂 磷化铟 圆片 盐酸清洗 发射极
- 王元
- 作品数：22被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：金属 磷化铟 发射极 衬底 键合
- 吴立枢
- 作品数：54被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：衬底 键合 键合材料 金刚石 氮化镓晶体管
- 孔月婵
- 作品数：207被引量：123H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
- 陈堂胜
- 作品数：405被引量：321H指数：9
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
- 一种磷化铟背孔的制作方法
- 本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
- 常龙程伟王元
- 文献传递
- 太赫兹频段功率放大芯片在片功率测试系统及测试方法
- 本发明提出的是一种太赫兹（THz）频段功率放大芯片在片功率测试系统，其结构包括处理器、探针台、信号源、扩频模块、功率计、电源、左S弯及波导探针、右S弯及波导探针、直流探卡。其测试方法，包括：1）建立信号源输出功率与扩频模...
- 陆海燕孙岩程伟孔月婵陈堂胜
- 文献传递
- 一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法，制备方法包括：在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构；完成器件及电路制备；InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；对InP衬底背...
- 吴立枢戴家赟程伟孔月婵陈堂胜
- 文献传递
- 基于光刻胶的临时键合及去键合的方法
- 本发明是一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合。优点是：GaAs、GaN等化合物半导体晶圆加工的一些关键工艺如背面金属化、背面通孔的刻蚀等步骤在200摄氏度以上高温下...
- 赵岩程伟吴璟
- 文献传递
- 一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法
- 本发明是基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法，其步骤如下：1）清洗Si基GaN圆片和临时载片；2）临时载片正面旋涂粘附剂；3）Si基GaN圆片与临时载片正面相对键合；4）将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除；5）清洗以...
- 吴立枢赵岩刘昊石归雄程伟
- 文献传递
- 磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法
- 一种磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法，其基本步骤是在半导体材料磷化铟(InP)衬底上用分子束外延设备依次生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管材料；在外延片的表面用电子束光刻，光学光刻和湿法腐蚀...
- 韩春林邹鹏辉陈辰程伟
- 文献传递
- 一种磷化铟背孔的制作方法
- 本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
- 常龙程伟王元
- 文献传递
- 磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法
- 本发明是一种磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法：制作发射极金属条形；采用干法刻蚀设备刻蚀一定厚度发射区材料；采用酸性腐蚀液腐蚀剩余厚度发射区材料；采用自对准方法制备基极接触金属，形成基极与发射极之间的电隔...
- 牛斌程伟王元赵岩陆海燕
- 文献传递
- W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法
- 本发明是W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法，其结构包括处理器、探针台、噪声仪、电源，其中处理器的第一信号输出/输入端与探针台的信号输入/输出端对应相接，处理器的第二信号输出/输入端与噪声仪的信号输入/输出端...
- 陆海燕王维波程伟郭方金孔月婵陈堂胜
- 文献传递
- 一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
- 本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：Si...
- 牛斌王元程伟赵岩吴立枢陆海燕
- 文献传递
