艾玉杰
作品数: 39被引量:0H指数:0
  • 所属机构:北京大学
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信

相关作者

黄如
作品数:1,253被引量:361H指数:11
供职机构:北京大学
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王润声
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研究主题:场效应晶体管 超大规模集成电路 硅纳米线 淀积 栅结构
黄欣
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郝志华
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供职机构:北京大学
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一种细线条的制备方法
本发明提供一种细线条的制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺,有效地改善了线条形貌,大大减小了LER(线边缘粗糙度);同时与侧墙工艺相结合,成功制备出纳米级细线条并能够精确控...
浦双双黄如艾玉杰郝志华王润声
一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括:隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A;光刻定义Fin条硬掩膜;刻蚀材料A,形成Fin条的硬掩膜;源漏注入;光刻定义沟道区和大源漏区;形成Si Fin...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极,其特征在于,所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层,包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部,该复合隔离层又分为两层,即与...
黄如云全新安霞艾玉杰张兴
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一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法,包括:隔离并淀积SiN;淀积SiO<Sub>2</Sub>;定义沟道区和大源漏区;将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上;淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法,包括:隔离并淀积SiN;淀积SiO<Sub>2</Sub>;定义沟道区和大源漏区;将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上;淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
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一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构
本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构,属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层,材料层与晶体管栅构成P-N结,利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高...
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无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称,测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称,首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态,然后通过改变...
邹积彬黄如王润声艾玉杰樊捷闻