袁之良
作品数: 8被引量:2H指数:1
  • 所属机构:中国科学院半导体研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

徐仲英
作品数:60被引量:51H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
郑宝真
作品数:18被引量:9H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
许继宗
作品数:19被引量:11H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
罗昌平
作品数:9被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 INGAAS/GAAS GAAS/ALAS 伏法
金世荣
作品数:12被引量:13H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:起偏器 半导体 INGAAS/GAAS 光学系统 步进马达