王旭
作品数： 2被引量：3H指数：1
  • 所属机构:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
  • 所在地区:吉林省 长春市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:高功率半导体激光国家重点实验室基金

相关作者

刘超
作品数：6被引量：13H指数：2
供职机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
研究主题：INGAASSB GAASSB 阈值电流 AVR单片机 PID控制
刘国军
作品数：189被引量：286H指数：9
供职机构：哈尔滨工业大学
研究主题：半导体激光器 分子束外延 量子点 锑化物 垂直腔面发射激光器
刘鹏程
作品数：8被引量：6H指数：2
供职机构：长春理工大学
研究主题：INGAASSB GAASSB 半导体激光器 阈值电流 垂直腔面发射激光器
安宁
作品数：16被引量：23H指数：3
供职机构：长春理工大学
研究主题：半导体激光器 GASB INGAASSB 阈值电流 量子阱激光器
魏志鹏
作品数：70被引量：213H指数：8
供职机构：长春理工大学理学院
研究主题：ZNO 半导体激光器 氧化锌 光致发光 光催化
作品列表
1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究
2014年
设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。
何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭
关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3
2015年
为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50μm、腔长为800μm的半导体激光器仿真模型,模拟器件的输出特性,讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明:当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/Ga As0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时,器件的性能达到最佳,阈值电流为48 m A,斜率效率为0.76 W/A。
何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭
关键词：半导体激光器