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国家高技术研究发展计划(2003AA302106)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
朱华
李翠云
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相关机构:
景德镇陶瓷学院
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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电子电信
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景德镇陶瓷学...
作者
1篇
李翠云
1篇
朱华
传媒
1篇
中国陶瓷
年份
1篇
2008
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Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析
被引量:1
2008年
文章对Si衬底GAN基GaN/InGaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析。
朱华
李翠云
关键词:
GAN
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