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国家高技术研究发展计划(2003AA302106)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多量子阱
  • 1篇透射
  • 1篇量子
  • 1篇SI衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇衬底
  • 1篇成像
  • 1篇成像分析

机构

  • 1篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 1篇李翠云
  • 1篇朱华

传媒

  • 1篇中国陶瓷

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析被引量：1
2008年
文章对Si衬底GAN基GaN/InGaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析。
朱华李翠云
关键词：GAN
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共1页<1>
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