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国家重点基础研究发展计划(2012CB619406)

作品数:5 被引量:4H指数:1
相关作者:陈静王一平杨颖赵丽艳洪琳更多>>
相关机构:上海大学中国科学院南京航空航天大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇O3
  • 1篇低温共烧
  • 1篇低温共烧陶瓷
  • 1篇电输运
  • 1篇电输运特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇多层膜
  • 1篇压电系数
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇陶瓷
  • 1篇准同型相界
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅压电
  • 1篇无铅压电陶瓷
  • 1篇相变
  • 1篇相变温度

机构

  • 2篇南京航空航天...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇杨颖
  • 2篇王一平
  • 2篇陈静
  • 1篇王根水
  • 1篇郑嘹赢
  • 1篇曾江涛
  • 1篇李国荣
  • 1篇陈莹
  • 1篇丁国际
  • 1篇陈吉
  • 1篇顾新云
  • 1篇董显林
  • 1篇朱明康
  • 1篇朱兴文
  • 1篇洪琳
  • 1篇赵丽艳
  • 1篇李波

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇Scienc...
  • 1篇中国材料进展

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
BiFeO_3掺杂0.94Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3压电陶瓷的相结构及电学性能被引量:1
2017年
采用固相反应烧结工艺制备了(1-x)(0.94Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3)-xBiFeO_3(BNBT6-xBF,0.02≤x≤0.10,x为物质的量分数)无铅压电陶瓷,研究了BiFeO_3掺杂量(即x)对陶瓷晶体结构,介电、铁电和场致应变性能的影响。结果表明:制备得到的BNBT6-xBF陶瓷均为纯钙钛矿结构;当x<0.08时,陶瓷晶体结构仍然处于准同型相界,当x=0.09时,陶瓷晶体结构开始向伪立方相转变;掺杂BiFeO_3有利于提高陶瓷的介电常数;随着BiFeO_3掺杂量的增加,陶瓷从铁电相向弛豫铁电相转变,铁电性能不断被削弱;陶瓷的场致应变先增大后减小,在x=0.09时达到最大,为0.28%,其等效压电常数为440pm·V^(-1)。
李波王一平杨颖陈静
关键词:无铅压电陶瓷相结构
铌镁酸铋钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究被引量:2
2012年
利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(~170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃.
洪琳赵丽艳朱兴文郑嘹赢曾江涛李国荣
关键词:准同型相界相变温度
The development of Bi Fe O_3-based ceramics被引量:1
2014年
The multiferroic properties of Bi Fe O3-based ceramics were improved through optimizing their sintering method and doping with certain rare earth elements in pure Bi Fe O3. Some methods, especially liquid-phase sintering method has largely decreased the densities of oxygen vacancies and Fe2in Bi Fe O3-based ceramics, and thus their resistivity became high enough to measure the saturated polarization and the large piezoelectric d33 coefficient under the high electric field of [150 k V/cm. Besides,multiferroic properties were improved through the rare earth elements' doping in pure Bi Fe O3. Magnetization commonly increases with the proportional increase of Nd,La, Sm and Dy contents up to *30 %, while ferroelectric phase can transform to paraelectric phase at a certain proportion. An improved magnetoelectric coupling was often observed at ferroelectric phase with a relatively large proportion. Besides, an enhanced piezoelectric coefficient is expected in Bi Fe O3-based ceramics with morphotropic phase boundaries as they are already observed in thin epitaxial Bi Fe O3 films.
Ahmad HussainXijun XuGuoliang YuanYiping WangYing YangJiang YinJunming LiuZhiguo Liu
关键词:O3FE压电系数
Investigation of the Morphotropic Phase Boundary(MPB) of(1-x-y)BaZrO3-x(K0.45Na0.5Li0.05)NbO3-yBi(Mg0.5Ti0.5)O3
Lead-based piezoelectric ceramics have excellent piezoelectric properties with the compositions near the rhomb...
Ruilin WuTomoakiKarakiJiangtao ZengLiaoying ZhengWei RuanXuezheng RuanGuorong Li
文献传递
残余应力对SrRuo3薄膜磁学及电输运性能的影响
2017年
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO_3(STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO_3(SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响。根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度TC;压应力提高了(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC。电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜。另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI)。
朱明康董显林陈莹丁国际王根水
关键词:残余应力磁学性能电输运特性
SMALL ROTATIONAL PIEZOELECTRIC WIND ENERGY HARVESTERS
Background, Motivation and Objective In the future, smart devices are expected to operate autonomously and wil...
Da XIAO; Jian-min QIU; Qin-long SHEN; Yi-ping WANG; Ying YANG;
关键词:PIEZOELECTRICWIND
文献传递
一种低温共烧压电陶瓷的制备
2012年
压电陶瓷多层膜的低温共烧特性及压电性能密切依赖于其成分。采用调节压电材料成分,以0.90Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.05Pb(Zn1/3Nb2/3)O3四元体系为研究对象,同时添加烧结助剂CuO来实现多层膜的低温烧结。对多层膜的流延、排胶、烧结、极化等工艺进行探索以优化工艺参数,最终获得850℃烧结温度下的高致密度多层压电陶瓷。压电性能的测试表明三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33达873pC/N,远高于同成分单层陶瓷306 pC/N的d33值。采用多普勒激光测振仪进行扫频实验,测定了多层陶瓷纵向振动速度的频谱,确定了基于该多层膜压电振子的最优谐振频率。
陈静王一平杨颖陈吉顾新云
关键词:压电陶瓷多层膜
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