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中科院创新基金(CXJJ-10-M36)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：何大伟张有为程新红徐大伟俞跃辉更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇保护器件
  • 1篇SCR
  • 1篇SOI
  • 1篇ESD
  • 1篇ESD保护

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇夏超
  • 1篇王中健
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇徐大伟
  • 1篇程新红
  • 1篇张有为
  • 1篇何大伟

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于SCR的SOI ESD保护器件研究
2012年
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。
夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉
关键词：SOIESDSCR保护器件
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