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国家自然科学基金(10904110)

作品数:3 被引量:5H指数:2
相关作者:安玉凯刘技文张浩陈艳红孙会杰更多>>
相关机构:天津理工大学北京航天计量测试技术研究所中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇掺杂
  • 1篇导体
  • 1篇微结构
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇稀磁半导体薄...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SIC
  • 1篇CO掺杂
  • 1篇DMS
  • 1篇ELEMEN...
  • 1篇FE掺杂
  • 1篇FILMS
  • 1篇LINBO
  • 1篇衬底
  • 1篇NONMAG...

机构

  • 2篇天津理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇北京航天计量...

作者

  • 2篇刘技文
  • 2篇安玉凯
  • 1篇李响
  • 1篇肖庆
  • 1篇吴忠华
  • 1篇吴华阳
  • 1篇冯德强
  • 1篇段岭申
  • 1篇孙会杰
  • 1篇陈艳红
  • 1篇张浩

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇天津理工大学...
  • 1篇Optoel...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Room temperature ferromagnetism of nonmagnetic element Ca-doped LiNbO_3 films
2014年
The nonmagnetic element Ca-doped LiNbO3 films were prepared on Si(111) substrates by radio frequency(RF) magnetron sputtering technique. X-ray diffraction(XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) indicate that the Ca atoms enter the LiNbO3 lattice in the form of Ca2+ ions. Superconducting quantum interference device(SQUID) results show that the Ca-doped LiNbO3 films have room-temperature ferromagnetism and a maximum saturation magnetization of 4800 A/m at the 3% of Ca atom doping concentration. The room temperature ferromagnetism of the Ca-doped LiNbO3 films can be attributed to the occurrence of vacancies due to Ca doping and is the intrinsic property.
刘华蕊李敏孙鹏王诗琪金鑫孙现科安玉凯刘技文
关键词:铁磁性SI(111)衬底
Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性被引量:2
2011年
采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。
李响安玉凯肖庆段岭申吴忠华刘技文
关键词:SICCO掺杂铁磁性
Fe掺杂In_2O_3薄膜的微结构与磁、输运性能被引量:3
2012年
采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.
陈艳红冯德强吴华阳张浩孙会杰刘技文安玉凯
关键词:FE掺杂微结构磁性
共1页<1>
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