浙江省自然科学基金(Y404363)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 锗硅量子阱结构带间吸收边研究被引量：1
- 2006年
- 利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化.通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1.043 eV和1.050 eV.随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动.通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好.随着温度的降低,带间吸收边向高能方向偏移,对于这一现象给出了定性的解释,并通过拟合得到了禁带宽度随温度的变化率.
- 黄仕华
- 关键词：光电流谱外加电场
- ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱被引量：4
- 2006年
- 通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随着尺度减少而引起的量子限制效应增强造成的.对在溶液中的ZnSe纳米颗粒的超快吸收谱的研究表明,当纳米颗粒的平均尺寸为75nm时,电子声子散射时间为8.74ps;当平均尺寸为45nm时,散射时间为2.77ps.随着纳米颗粒尺寸的减小,载流子与颗粒表面的非弹性碰撞几率增加,从而使载流子声子耦合的强度增强,导致载流子声子散射时间缩短.
- 黄仕华陆昉
- 锗硅低维结构的带间吸收边的研究
- 本文利用光电流谱的方法对锗硅低维量子结构的带间吸收边进行了研究。在实验上我们观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅低维量子结构的带间吸收边的谱线发生了有规律的变化。通过对锗硅量子点和量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合...
- 黄仕华
- 关键词：外电场
- 文献传递
