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一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器: 2007年; 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿真无源元件寄生效应.电路测试结果表明:在2.8～3.5GHz频段内噪声系数低于1.4dB,同时相关增益大于25dB,增益平坦度小于0.5dB,输入输出反射损耗小于-10dB.; 黄华张海英杨浩尹军舰叶甜春; 关键词：微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管 S波段

单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1: 2007年; 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.; 徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明; 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压

InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量：1: 2005年; 对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。; 李潇张海英李海鸥尹军舰刘亮陈立强; 关键词：磷化铟低温合金欧姆接触

全数字锁相环非数字模块仿真模型分析与建立被引量：2: 2011年; 由于锁相环工作频率高,用SPICE对锁相环进行仿真,为了确保仿真精度,时间步长需要设的非常小,数据量大,仿真时间长.而在设计初期,往往并不需要很精确的结果.因此,为了提高全数字锁相环设计效率,有必要为其建立一个高效的仿真模型.在总结前人提出的一些锁相环仿真模型的基础上,用硬件描述语言构建了一种新的适用于全数字锁相环的仿真模型.该模型能使早期的系统级架构选择和算法级行为验证的时间大大缩短.; 田欢欢张海英; 关键词：振荡器全数字锁相环硬件描述语言仿真模型

面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)被引量：1: 2007年; 介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.; 陈立强张健李志强陈普锋张海英; 关键词：压控振荡器单片微波集成电路无线通信

一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：10: 2009年; 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。; 唐立田张海英黄清华李潇尹军舰; 关键词：跨阻放大器 CMOS工艺

一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器(英文)被引量：1: 2008年; 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128 ～255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128 ～255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz ,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3 .3 V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11 mA,多模分频器的工作电流为17 mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65 mm×0.3 mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.; 李志强陈立强张健张海英; 关键词：预分频器分频器多模频率综合器

0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用: 2004年; 0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上。; 张海英刘训春罗明雄刘洪民王润梅; 关键词：GAAS PHEMT T形栅

一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量：2: 2007年; 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用.; 朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春; 关键词：功放 HBT MMIC

3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器(英文)被引量：4: 2008年; 利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作于2.83至3.25GHz频段内,调谐范围达到13.8%.当工作于3.22GHz时,测得的相位噪声在1MHz频偏处为-111dBc/Hz.在1.8V电源电压下,核心模块消耗电流小于2mA.表明该电路适合5GHz的无线局域网接收机以及3.4至3.6GHz的全球微波互联接入(WiMAX)应用.; 陈普锋李志强黄水龙张海英叶甜春; 关键词：LC压控振荡器相位噪声

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