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国家自然科学基金(60276028)

作品数:44 被引量:193H指数:9
相关作者:庄奕琪包军林杜磊李伟华马仲发更多>>
相关机构:西安电子科技大学教育部武警工程学院通信工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 32篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 6篇MOSFET
  • 5篇氧化层
  • 5篇噪声
  • 4篇氧化层陷阱
  • 4篇通信
  • 4篇扩频
  • 4篇光电耦合
  • 4篇光电耦合器
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇辐照
  • 3篇低频噪声
  • 3篇多径
  • 3篇虚拟仪器
  • 3篇亚微米
  • 3篇遗传算法
  • 3篇深亚微米
  • 3篇微米
  • 3篇扩频通信

机构

  • 35篇西安电子科技...
  • 7篇教育部
  • 5篇武警工程学院...
  • 1篇西安邮电学院
  • 1篇西藏民族大学

作者

  • 38篇庄奕琪
  • 21篇包军林
  • 19篇杜磊
  • 10篇李伟华
  • 7篇马仲发
  • 5篇曾志斌
  • 5篇刘丽霞
  • 5篇王江安
  • 4篇万长兴
  • 4篇何亮
  • 4篇胡瑾
  • 4篇向新
  • 3篇鲍立
  • 3篇李迪
  • 3篇靳钊
  • 3篇徐飞
  • 2篇陈伟华
  • 2篇彭绍泉
  • 2篇周江
  • 2篇李聪

传媒

  • 6篇Journa...
  • 6篇物理学报
  • 5篇电子科技大学...
  • 5篇西安电子科技...
  • 3篇微计算机信息
  • 3篇电子器件
  • 2篇数据采集与处...
  • 2篇光子学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇微电子学
  • 1篇计算机科学
  • 1篇计算机测量与...

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 9篇2008
  • 5篇2007
  • 4篇2006
  • 8篇2005
  • 2篇2004
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
遗传算法最优拟合抑制GPS多径研究被引量:3
2009年
在多径时延较短的情况下,传统全球定位系统抑制多径算法无法对短时延多径信号进行有效的抑制,从而导致无法提高全球定位系统的定位精度.提出了一种基于遗传算法的多径逼近方法,将多径信号估计转换为最优拟合问题,采用遗传算法进行优化逼近,避免了逼近模型陷入局部最小值.得出了实际信号中直达信号和多径信号各自的表达式,相当于消除多径干扰,在短时延多径情况下提高了伪距测量精度.给出了遗传算法估计多径的具体步骤.仿真结果表明,这种方法可以将全球定位系统接收机的伪距测量精度提高一倍左右.
王江安庄奕琪李迪靳钊
关键词:全球定位系统多径传播遗传算法
遗传算法抑制BOC(1,1)信号多径研究被引量:1
2010年
针对传统方法无法有效抑制伽利略(Galileo)BOC(1,1)信号短时延多径的现状,将多径抑制问题转换为最优拟合问题,提出了一种有效估计短时延多径的方法。利用遗传算法不需要函数可导,且不易陷入局部最小值的特点,将其应用于最优拟合BOC(1,1)短时延多径信号的计算上,有效地减小了每个通道的伪距测量误差,提高接收机定位精度。给出应用该算法的具体步骤,仿真结果表明该方法可以更加有效地抑制短时延多径。
王江安庄奕琪周清军
关键词:伽利略遗传算法多径传播
GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究被引量:2
2005年
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAsIRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华万长兴
关键词:红外发光二极管涨落氧化层陷阱
交织和BCH编码对蓝牙2.0数据传输性能的改善被引量:2
2010年
蓝牙2.0+EDR规范新增DH分组没有有效的纠错机制,其抗干扰能力差。通过在新规范中加入BCH编码和交织编码,以改善蓝牙的数据传输吞吐量及抗干扰能力。对于新增的数据分组,根据蓝牙标准协议,推导了相应的分组特性;建立了GE信道下数据传输速率与信道突发错误水平的关系模型;获得了在不同信道突发错误水平下的数据传输吞吐量。结果表明,在蓝牙2.0+EDR新规范中加入BCH编码和交织编码,在较高突发错误水平的信道中,其数据传输吞吐量提高了一倍以上,明显改善了数据传输的抗干扰能力。
牛玉峰庄奕琪徐飞
关键词:BCH编码蓝牙
利用改进卡尔曼滤波算法抑制GPS接收机相位噪声被引量:3
2010年
相位噪声是影响GPS接收机跟踪灵性能的主要因素之一。本文针对并行多通道GPS接收机,提出了一种相位噪声的抑制方法。由于多个通道的相位误差中均含有相位噪声,而其他噪声相互独立,因此可以通过改进卡尔曼滤波算法得到相位噪声的时域估计。通过相位补偿,有效地减小了每个通道的相位噪声,提高了接收机的抗干扰能力和跟踪灵敏度。最后本文给出了应用该算法的具体步骤,并通过仿真证明了该方法的有效性。
王江安庄奕琪周清军李迪
关键词:GPS相位噪声相位估计
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度被引量:2
2007年
研究了SMIC90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(randomtele-graph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.
鲍立庄奕琪马晓华包军林
关键词:RTS深亚微米MOS
光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究被引量:14
2005年
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词:G-R噪声光电耦合器件深能级
一种准正交混合扩频通信算法被引量:2
2007年
针对无线扩频通信频带利用率有限的问题,提出了一种准正交混合扩频通信算法及其实现方案.该算法利用扩频码码极性特点在同相支路上进行BPSK调制的直接序列扩频传输,利用扩频码码相位特点在正交支路进行M元扩频传输.系统通过同相支路扩频码提取扩频码起始位置,继而利用两支路扩频码互补特点获取载波信息.系统实现不需要额外提供同步信息,系统的扩频码码集仅由一条扩频码在限定相位区条件下通过循环移位构成.仿真结果表明该算法可有效地提高系统资源的利用率.
曾志斌庄奕琪向新
关键词:BPSK直接序列扩频混合扩频
n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型被引量:18
2005年
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .
包军林庄奕琪杜磊李伟华万长兴张萍
关键词:氧化层陷阱半导体载流子
MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究被引量:15
2007年
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型.
李瑞珉杜磊庄奕琪包军林
关键词:辐照效应
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