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Sn-Al合金作为锂电池负极材料的掺Ni改性研究: 2013年; 采用磁控溅射的方法,制备了SnAl/Ni双层结构薄膜负极材料,通过XRD检测样品的物相结构,并通过组装半电池测试材料的循环稳定性。XRD结果表明:制备所得的双层结构薄膜样品主要为Ni3Sn2与Cu40.5Sn11的固溶相,不同溅射功率下样品的结晶化程度也不一样。循环性能测试结果表明:Ni溅射功率为100W的样品50次循环后充放电比容量维持在500mAh/g左右,具有较好的循环性能。掺Ni后形成的Sn-Ni-Al负极材料的循环稳定性与结晶化程度有关,结晶化程度越差的样品,由于结晶的不规则性,引入更多的嵌锂间隙位置,便于锂离子的进出,获得越好的循环性能。其次对于Sn-Ni-Al负极,多个二元相固溶时,由于非活性物质对循环时的体积变化具有一定的缓解作用,多个二元相作用叠加,导致循环稳定性优于三元合金相。在合成多元合金负极时,非晶化及多个二元相的固溶都是有利于循环稳定性提高的方法之一。本文为Sn基合金负极的改性研究提供了一个新的手段。; 黄钊文胡社军侯贤华汝强赵灵智; 关键词：锂离子电池负极材料

SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究: 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 - 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 - 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.; 刘咏梅赵灵智姜如青覃坤南; 关键词：SNS 第一性原理计算电子结构光学性质

SnO_2透明导电薄膜掺杂改性的研究进展被引量：2: 2015年; Sn O2薄膜是一种宽禁带半导体材料(3.6 e V),且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景,引起了国内外极大的关注。目前,所制备的本征Sn O2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3;经过n型化后Sn O2薄膜的载流子浓度可达1021 cm-3。所制备的本征Sn O2薄膜的带隙为3.6 e V,经过p型化后Sn O2薄膜的带隙可达3.8 e V。鉴于Sn O2导电薄膜光电性质的重要性,就Sn O2薄膜的制备方法、n型化和p型化掺杂改性进行了综述。; 刘咏梅赵灵智刘雪花; 关键词：SNO2薄膜掺杂改性

ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件: 2012年; ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。; 陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉; 关键词：ZNO 本征缺陷

SnO_2薄膜与n-SnO_2/p-Si异质结光电特性的研究: 2014年; 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化,对其能带结构进行了模拟计算.结果显示,导带底和价带顶位于G点处,表明SnO2是一种直接带隙半导体.同时,采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结.扫描电镜结果表明,SnO2薄膜晶粒均匀.霍尔测试结果表明,SnO2薄膜载流子浓度高达1.39×1 020 cm-3.吸收谱测试表明,SnO2薄膜光学带隙为3.73 eV.n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性.; 刘咏梅赵灵智姜如青邢瑞林; 关键词：脉冲激光沉积法光电性质

Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究被引量：2: 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si(220)晶面的最佳吸附位置,并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构.研究表明:Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位,此时的吸附能最低,其值为5.256 9 eV,属于强化学吸附;同时由于在Ag/Si(220)体系中,Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用,以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄,导电性急剧增大.; 张苗侯贤华王基蕴赵灵智胡社军汝强; 关键词：第一性原理

基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述被引量：1: 2012年; 随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。; 陈心满赵灵智牛巧利

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广东省自然科学基金(S2011010001758)