国家重点基础研究发展计划(TG2011CB301905)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 相关作者：俞锋王溯源陈志忠张国义姜爽更多>>
- 相关机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究
- 2012年
- 利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。
- 王溯源陶岳彬陈志忠俞锋姜爽张国义
- 关键词：GAN
