上海市教育委员会创新基金(11ZZ29)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 伽马CuX(X=Cl,Br,I)的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：3
- 2012年
- 基于第一性原理赝势平面波方法对伽马晶体CuC1,CuBr.CuI的体模量、体模量对压强的一阶偏导数、电子结构、折射率等光学性质进行了计算.计算结果表明,广义梯度近似(GGA)下CuX(X=C1,Br,I)晶体的晶格常数与体模量的计算值与实验相差较小.与局域密度近似(LDA)相比,GGA更适合于CuX(X=C1,Br,I)晶体的计算.这三者的价带都来源于Cu的3d态,导带部分主要来自Cu和卤素的s电子贡献,很少部分来自卤素的p电子贡献.计算得到CuCl,CuBr,CuI的折射率分别为1.887,2.015,2.199,与应用Gladstone-Dale半经验关系得到的结果符合得很好.
- 邓娇娇刘波顾牡刘小林黄世明倪晨
- 关键词：光学性质第一性原理计算
- γ-CuⅠ晶体生长和红光发射的抑制机理被引量：1
- 2013年
- 以乙腈为溶剂、γ-CuⅠ粉末为原料,采用溶剂蒸发法,通过工艺优化,生长出了尺寸约为9mm×9mm×1mm的透明γ-CuⅠ闪烁晶体。卢瑟福背散射谱(RBS)实验结果表明,所生长的γ-CuⅠ晶体中铜和碘元素的比例分别为53.1和46.9mol%。在生长溶剂中掺入适量碘可提高γ-CuⅠ晶体中碘的比重,所获得晶体中铜和碘元素的比例被调整为50.4和49.6mol%。光致发光谱(PL)的结果表明,所生长的γ-CuⅠ晶体存在有410nm发射峰和720nm附近的宽发射带,掺碘后720nm的宽发射带得到了较大幅度的抑制,但同时也会在424和474nm处出现两个相对较弱的发射峰;X射线激发发射谱(XEL)显示,所生长的CuⅠ晶体存在有435nm发射峰和720nm附近的宽发射带,掺碘后720nm的宽发射带得到了较大抑制。综合掺碘前后γ-CuⅠ晶体的发射光谱可以发现:碘元素有助于抑制γ-CuⅠ晶体的红光发射,其原因来自于碘元素的体掺杂造成晶体中碘空位的减少,而非由晶体表面的吸附碘。
- 蔡祖旭顾牡刘小林刘波黄世明倪晨
- 关键词：晶体生长碘含量
