国家重点基础研究发展计划(2007CB613403)
- 作品数：16 被引量：39H指数：4
- 相关作者：杨德仁李东升刘海旭孙甲明张新霞更多>>
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- 稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件被引量：5
- 2009年
- 本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化III-V族半导体发光二极管的水平。
- 孙甲明张俊杰杨阳张新霞刘海旭W.SkorupaM.Helm
- 关键词：电致发光MOS器件稀土离子
- 半绝缘Si/SiO_2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性被引量：2
- 2009年
- 本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮度可达到1.4cd/m2。随着Si层厚度的增加,Si/SiO2超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强,可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用。当超晶格中SiO2层厚度小于过热电子的平均自由程时,过热电子的平均能量减小导致短波侧的发光强度迅速下降,电致发光强度随之迅速降低。
- 张新霞孙甲明张俊杰杨阳刘海旭
- 关键词：超晶格电致发光
- N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
- 2009年
- 采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。
- 蔡文浩黄建浩李东升杨德仁
- 关键词：光致发光电致发光
- 二氧化硅@硫化镉核壳结构粒子的制备及表征
- 2008年
- 本文利用化学水浴沉积法,在单分散的二氧化硅球表面包覆硫化镉,制备出二氧化硅@硫化镉核壳结构。通过改变反应物质的量以及反应温度等条件,得到了具有不同核壳比的二氧化硅@硫化镉核壳结构。实验发现随着二氧化硅@硫化镉核壳结构中硫化镉晶粒尺寸的减小,其吸收边和光致发光峰都产生了蓝移;这主要是由于随着硫化镉晶粒尺寸的减小,该材料体系的光学特性由体效应向量子尺寸效应的转变造成的。
- 胡梦李东升杨德仁阙端麟
- 关键词：硫化镉二氧化硅核壳结构
- 纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响被引量：5
- 2009年
- 本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。
- 张俊杰孙甲明杨阳张新霞刘海旭W.SkorupaM.Helm
- 关键词：铒电致发光光致发光纳米硅
- SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合
- 2009年
- 本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。
- 任常瑞胡翔李东升杨德仁
- 关键词：银岛膜表面等离激元
- 离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：3
- 2009年
- 本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应。
- 杨阳孙甲明张俊杰张新霞刘海旭W. SkorupaM. Helm
- 关键词：束缚激子离子注入硼调制掺杂
- 基于银掺杂钠钙玻璃的荧光染料自发辐射增强
- ＜正＞利用离子交换技术以及后续的热处理的方法能够方便地在玻璃基体中引入金属的纳米颗粒,由于金属纳米颗粒具有独特的光学性质,因此在众多光学领域具有许多新的现象及应用。本文通过离子交换和后续热处理的方法在钠钙玻璃中引入Ag纳...
- 贺喆金璐杨德仁李东升
- 文献传递
- 掺氮二氧化钛薄膜的介质阻挡放电化学气相沉积及其结构性能研究被引量：5
- 2008年
- 采用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)法,以四异丙醇钛(TTIP)作为钛源,氨气(NH3)和笑气(N2O)分别作为氮源的气相反应先驱体,成功制备了不同掺杂量的掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。SEM、XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明:所制得的掺氮二氧化钛薄膜均为锐钛矿相,氮源的引入对TiO2薄膜晶粒成长、晶体取向、表面形貌影响很大,并促使光吸收限红移,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能。且NH3掺氮效果整体好于N2O。
- 李喆张溪文韩高荣
- 关键词：光催化性亲水性
- 密排银颗粒薄膜的制备及其SERS应用
- 银纳米颗粒通过自组装得到的二维结构薄膜呈现出独特的光学性质,薄膜中颗粒排布均匀、间距小、热点多,比独立颗粒具有更好的SERS增强效果。本文将不同粒径的银纳米颗粒溶液在正己烷/水界面上通过乙醇调节自组装得到了密排的银颗粒薄...
- 周宁刘涛李东升杨德仁
- 文献传递
