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氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响被引量：9: 2004年; 研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。; 秦志新陈志忠于彤军张昊翔胡晓东杨志坚李忠辉张国义; 关键词：氮化镓基发光二极管热退火载流子浓度

MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED被引量：10: 2003年; 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。; 李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义; 关键词：INGAN MOCVD

GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化: 2007年; 研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.; 魏启元李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚胡晓东; 关键词：氮化镓激光二极管多元合金

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量: 2005年; 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。; 金春来胡晓东王琦张振生章蓓; 关键词：光损耗光增益增益饱和

GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理被引量：5: 2004年; 利用波长为 2 4 8nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜 (3μm)和InGaNLD外延膜 (5 μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较 ,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为 2 0 0mJ/cm2 和 30 0mJ/cm2 ,优化结果表明 ,能量密度分别在 4 0 0mJ/cm2 和 6 0 0mJ/cm2 可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理 ,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。; 黎子兰胡晓东章蓓陈科聂瑞娟张国义; 关键词：GAN INGAN LD 解理

InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响: 2006年; 对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论.; 于彤军; 关键词：光致发光谱 INGAN ALGAN 多量子阱

p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性: 2007年; 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.; 王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚章蓓张国义胡晓东; 关键词：P-GAN 传输线

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1: 2005年; 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。; 杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义; 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离被引量：1: 2004年; 利用 X射线衍射 (XRD)测量用 MOCVD生长的 In Ga N样品 ,观察到 In N相 .通过 X射线衍射理论 ,计算得到 In N相在 In Ga N中的含量 .通过退火和变化生长条件发现 In N相在 In Ga N薄膜中的含量与生长时 N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关 .进一步的分析表明 In Ga N合金中出现 In N相的主要原因是相分离 .; 陆曙童玉珍陈志忠秦志新于彤军胡晓东张国义; 关键词：INGAN INN XRD MOCVD

氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理被引量：1: 2005年; 用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与pGaN的接触,使ρc显著升高.; 胡成余秦志新冯振兴陈志忠杨华杨志坚于彤军胡晓东姚淑德张国义; 关键词：比接触电阻卢瑟福背散射

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