陕西省自然科学基金(2012JQ6001)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：刘民生张颖张军战蒋明学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究被引量：3
- 2012年
- 分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明,采用两种硅源所合成的晶须均为β-SiC单晶,晶须的生长面为(111)面,生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别,表明其合成SiC晶须的生长机理不同,VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。
- 张军战张颖蒋明学刘民生
- 关键词：碳热还原SIC晶须形貌结构
- SiC晶须在Si_3N_4-C和SiO_2-C-N_2系统中的合成
- 2013年
- 对Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的主要化学反应以及SiC晶须在两种系统中合成的热力学条件进行了分析,进而采用碳黑为碳源、Si3N4与SiO2微粉为硅源、氧化硼为催化剂,分别在氩气与氮气气氛下,于1600℃合成SiC晶须。采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜等分析手段分析了晶须的生成量和形貌结构特征。结果表明:通过SiO2-C-N2系统可以一步合成SiC晶须,其与Si3N4-C系统合成的均为β-SiC;但在晶须的生成量和质量上,Si3N4-C系统合成的SiC晶须较好。
- 张颖张军战刘民生
- 关键词：SIC晶须热力学
