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国家自然科学基金(90407023)

作品数:28 被引量:66H指数:5
相关作者:于军王耘波彭刚李佳王龙海更多>>
相关机构:华中科技大学清华大学武汉理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家大学生创新性实验计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 10篇电气工程
  • 7篇电子电信
  • 7篇理学
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 14篇铁电
  • 9篇铁电薄膜
  • 5篇溅射
  • 5篇BI
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇电性能
  • 4篇溶胶
  • 4篇陶瓷靶材
  • 4篇铁电性
  • 4篇铁电性能
  • 4篇靶材
  • 4篇ZNO:AL
  • 3篇溶胶-凝胶法
  • 3篇PZT
  • 3篇SOL-GE...
  • 3篇FERROE...
  • 2篇电滞回线
  • 2篇数对
  • 2篇铁电存储器

机构

  • 24篇华中科技大学
  • 4篇清华大学
  • 3篇武汉理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇武汉工程大学

作者

  • 24篇于军
  • 14篇王耘波
  • 7篇彭刚
  • 7篇李佳
  • 6篇高俊雄
  • 6篇李建军
  • 6篇王龙海
  • 5篇王晓晶
  • 5篇周文利
  • 5篇高峻雄
  • 5篇徐玮
  • 5篇雷青松
  • 4篇郑朝丹
  • 4篇任天令
  • 4篇刘锋
  • 3篇袁俊明
  • 3篇杨卫明
  • 3篇赵素玲
  • 2篇杨晨
  • 2篇刘理天

传媒

  • 6篇物理学报
  • 4篇功能材料
  • 3篇华中科技大学...
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
The domain structure and polarization retention properties of PT/PZT/PT ferroelectric thin film
2007年
The highly oriented perovskite-phase PT/PZT/PT ferroelectric thin film was pre- pared by sol-gel method. The domain structures and polarization retention proper- ties were investigated by scanning force microscopy. The amplitude and phase images of piezoresponse show complex various contrasts of dark, bright and gray. The complex variation of contrast in piezoresponse images results from the per- plexing orientation of grains and arrangement of domains in the ferroelectric films. The bright and dark areas in phase images correspond to top-to-bottom and bot- tom-to-top polarization oriented c-domain, respectively. The gray areas are c-domains with the polarization vector deviating from the direction normal to the film plane. The surface potential images of EFM are bright contrast, which is due to positive charges trapped on the film surface after being polarized by positive volt- age. And the brighter contrast is obtained from the higher electric field. The time-dependent surface potential images and line potential profiles show that the potential decays with time. And the decay in the region polarized by higher electric field is faster, especially at 15 min. This indicates that the polarization retention is related to the polarized electric field. Better retention properties may be obtained from a proper polarized electric field.
WANG LongHaiYu JunZHAO SuLingZHENG ChaoDuanWANG YunBoGAO JunXiong
关键词:FERROELECTRICTHINRETENTIONSCANNINGMICROSCOPE
硅基压电多层膜悬臂梁的偏转模型和优化设计被引量:4
2006年
利用压电多层膜悬臂梁的形变曲率半径,导出了简洁的压电悬臂梁型微执行器的偏转模型.采用此模型,对硅基PZT压电悬臂梁型微执行器进行了模拟和分析.分析获得了各层薄膜结构参数与微执行器偏转位移的关系.根据此分析结果,进一步优化了压电悬臂梁型微执行器的设计,并给出了优化的方法.
方华军刘理天任天令
关键词:MEMS悬臂梁微执行器
PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化被引量:1
2008年
用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr0·3Ti0·7O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3(PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线衍射和原子力显微镜分析结果表明PT层中过量Pb配比(x)对薄膜的微结构影响很大,只有PT层中Pb过量配比x=0·10—0·15的薄膜为表面晶粒大小均匀致密的纯钙钛矿结构.X射线电子能谱对薄膜微区进行元素成分分析表明,对x=0·00的薄膜,在表面和界面处Pb明显的缺乏;而x=0·20时的薄膜,Pb则明显的过量.薄膜的铁电性能、疲劳特性和漏电流特性等电学性能与PT层中过量Pb配比(x)没有明显的变化趋势,但与薄膜的结晶性能密切相关.结晶性能较好的薄膜,其电学性能也较好.说明PT层中过量Pb配比(x)是通过影响PT子晶层自身的结晶,而影响整个薄膜的结晶行为,并进一步影响到整个薄膜的电学性能.因此,在其他工艺参数都相同时,PT层中合适的过量Pb配比应为x=0·10—0·15.优化的子晶层不仅能获得结晶性能较好的薄膜,而且薄膜的电学性能也好.
王龙海于军王耘波高峻雄赵素玲
关键词:铁电薄膜
PZT陶瓷靶材的制备及相成分分析被引量:1
2007年
采用固相反应法制备了一系列PZT陶瓷靶材,并用XRD对其进行了相成分分析.结果表明,PbO的富足可以大大抑制PbZrO3的分解,还可以抑制焦绿石相的产生,起到稳定钙钛矿相的作用.然而,过量的PbO会使材料局部区域的相成分发生波动,故而破坏相成分的一致性.此外,对单块的PZT样品进行烧结还会出现陶瓷分层现象,将多块样品放在一起烧结或采用先进的烧结工艺有利于抑制分层.
贺鳞翔彭刚杨卫明郑朝丹于军王耘波
关键词:PZT固相反应钙钛矿相
热分解气氛对溶胶-凝胶法制备BLT铁电薄膜性能的影响
2008年
研究了热分解气氛对溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜铁电性能的影响。在400℃时空气或氧气气氛下热分解20min,接着在700℃时氧气气氛下退火30min。氧气气氛下的热分解能充分分解掉薄膜中的有机成分,而空气气氛下的热分解使炭、氢有机成分部分残留在薄膜中。有机成分的不完全分解影响了退火过程中BLT薄膜晶化时晶粒的生长。表现出生长取向和晶粒尺寸对BLT薄膜铁电性能的影响。氧气和空气气氛下热分解的薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽电场(Ec)分别为18.85μC/cm2,119.7kV/cm和12.56μC/cm2、112.5kV/cm。氧气气氛下热分解的薄膜的剩余极化值显著提高。所以热分解是控制铁电性能的重要步骤。
李建军于军李佳王耘波高俊雄周文利
关键词:溶胶-凝胶热分解
A Fast Bitline Capacitance Evaluation Method for Designing Ferroelectric Random Access Memory
<正>One major issue of designing ferroelectrics random access memory is to ascertain the proper ferroelectric c...
Xin-Yi WenTian-Ling RenZe JiaChao-Gang WeiDan XieLi-Tian LiuJun Yu
文献传递
YIG磁性薄膜低温集成工艺
2006年
为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响.
刘锋杨晨任天令于军
关键词:磁性薄膜
沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响被引量:5
2009年
采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4-9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04-2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132-96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。
于军王晓晶雷青松彭刚徐玮
关键词:磁控溅射光学带隙
LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响被引量:4
2008年
采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5 V电压(电场约125 kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec分别为50.5μC/cm2和55 kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.
杨卫明彭刚李建军于军
关键词:电子材料铁电薄膜射频磁控溅射铁电性能
PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁被引量:5
2006年
用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0·3Ti0·7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.
王龙海于军刘锋郑朝丹李佳王耘波高峻雄王志红曾慧中赵素玲
关键词:铁电薄膜
共3页<123>
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