辽宁省博士科研启动基金(20031071)
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
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- 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响被引量：2
- 2006年
- 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.
- 郝斌魁姜雪宁张庆瑜陈充林
- 关键词：基片温度X射线衍射原子力显微镜
- 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响
- 利用Gd／Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响。分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构...
- 郝斌魁姜雪宁张庆瑜陈充林
- 关键词：基片温度X射线衍射原子力显微镜
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