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国家自然科学基金(90407003)

作品数:4 被引量:9H指数:2
相关作者:任俊彦朱凯许俊陈廷乾叶凡更多>>
相关机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇转换器
  • 2篇A/D
  • 2篇A/D转换
  • 2篇A/D转换器
  • 1篇电路
  • 1篇电路建模
  • 1篇迭代
  • 1篇迭代法
  • 1篇动态性能
  • 1篇折叠内插
  • 1篇误差分析
  • 1篇系统设计
  • 1篇流水线
  • 1篇流水线A/D...
  • 1篇模数转换
  • 1篇模数转换器
  • 1篇分布式
  • 1篇ACTIVE
  • 1篇ADC
  • 1篇CMOS

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇任俊彦
  • 2篇叶凡
  • 2篇陈廷乾
  • 2篇许俊
  • 2篇朱凯
  • 1篇李宁
  • 1篇林俪
  • 1篇姚炳昆
  • 1篇徐俊
  • 1篇周立人

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
折叠内插A/D转换器中分布式T/H电路的建模分析被引量:1
2007年
分析了折叠内插A/D转换器中前置放大器和分布式采样保持电路的失真和对系统动态性能的影响,利用Hspice和Matlab进行了电路行为级的建模,分别对带宽受限、输入失调电压、时钟抖动和偏移等进行了仿真。最后,对数据进行了分析综合。所述结论可用来估计折叠内插A/D转换器中的失真,作为设计参考。
姚炳昆林俪李宁叶凡徐俊任俊彦
关键词:A/D转换器电路建模折叠内插
基于输出迭代法的A/D转换器测试数据分析被引量:2
2007年
介绍了一种将模拟/数字转换器(ADC)的采样输出按照正弦输入信号的周期进行迭代的数据处理方法,可以评估输入噪声和时钟抖动对动态性能测试结果的影响。同时,通过分析迭代后的信号波形,可以发现高频输入信号在ADC转换过程中存在的畸变、非单调、失码、跳码、失真等现象,而这些现象很难从输出数据中直接观察到。这种分析对ADC的设计具有重要的指导意义。实验结果表明,这种方法是实用有效的。
朱凯叶凡陈廷乾任俊彦许俊
关键词:迭代动态性能
高精度流水线A/D转换器误差分析与系统设计被引量:5
2008年
详细分析了影响高精度流水线A/D转换器性能的主要误差,并用数学表达式来具体描述。这些误差是模块噪声、恒定余量增益误差、非恒定余量增益误差、放大器不完全建立误差。在误差分析的基础上,研究了系统设计指标的确定方法,像如何确定各模块的采样电容与模块间电容缩小比例,以及如何确定各模块中放大器的增益、带宽、摆率等。
陈廷乾许俊朱凯周立人任俊彦
关键词:模数转换器流水线误差分析系统设计
A 1.4-V 25-mW 600-MS/s 6-bit folding and interpolating ADC in 0.13-μm CMOS被引量:1
2010年
A 600-MSample/s 6-bit folding and interpolating analog-to-digital converter(ADC) is presented.This ADC with single track-and-hold(T/H) circuits is based on cascaded folding amplifiers and input-connection-improved active interpolating amplifiers.The prototype ADC achieves 5.55 bits of the effective number of bits(ENOB) and 47.84 dB of the spurious free dynamic range(SFDR) at 10-MHz input and 4.3 bit of ENOB and 35.65 dB of SFDR at 200-MHz input with a 500 MS/s sampling rate; it achieves 5.48 bit of ENOB and 43.52 dB of SFDR at 1-MHz input and 4.66 bit of ENOB and 39.56 dB of SFDR at 30.1-MHz input with a 600-MS/s sampling rate.This ADC has a total power consumption of 25 mW from a 1.4 V supply voltage and occupies 0.17 mm^2 in the 0.13-μm CMOS process.
林俪任俊彦叶凡
共1页<1>
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