国家教育部博士点基金(20110003120010)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 相关作者：廖斌吴先映张荟星李强彭建华更多>>
- 相关机构：北京师范大学中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学电气工程机械工程更多>>
- 利用MATLAB研究多螺线管磁场分布被引量：4
- 2013年
- 利用Matlab软件对多螺线管磁场分布趋势及强度进行了研究,计算结果表明当各个螺线管通以同向电流时,各个螺线管相对几何中心处磁感线相互排斥,且磁场强度变小,当在4个螺线管几何对称中心轴正上方再放置一个螺线管时,各个螺线管产生的部分磁感线会沿着正上方放置的螺线管磁感线方向行走且当计算选取微元和步长越小结果越准确.
- 王锴廖斌吴先映李璟史学伟于晶晶
- 关键词：螺线管MATLAB软件
- 磁过滤真空电弧沉积系统中阴极表面磁场分析研究
- 2014年
- 在有限元模型基础上,运用ANSYS软件对阴极真空电弧沉积系统中阴极表面磁场分布以及传输导管内部磁场进行了模拟计算,研究了阴极表面附近磁场分布对于电弧稳定性和等离子体输运效率的影响.计算和试验结果表明,调节阴极后部的永磁铁至合理位置以及在阳极筒外侧加聚焦线圈两项措施均能够改变阴极表面磁场分布.而对阴极表面磁场的合理优化有利于电弧稳定,并能极大地提高等离子体传输效率,对于提高沉积效率具有重要意义.
- 史学伟廖斌张荟星陈一鸣吴先映
- 关键词：磁场分布有限元法电弧稳定性
- 组合体脉冲真空电弧源的初步研究
- 2014年
- 为得到高密度的等离子体,设计研制了组合体脉冲真空电弧源,它由4套脉冲真空电弧源组合而成.测量了脉冲真空电弧源弧压与弧流的关系;利用静电探针测量了组合体脉冲真空电弧源和单套脉冲真空电弧源产生的等离子体,得到了探针饱和电流(与等离子体密度成正比)与弧压的关系,以及等离子体密度的轴向分布情况;采用飞行时间方法估测了等离子体的飞行速度.组合脉冲真空电弧源最大等离子体密度达到8×1012 cm-3.
- 李璟黄杰王锴张荟星彭建华邓春凤吴先映
- 关键词：等离子体等离子体密度轴向分布
- 等离子体对聚酰亚胺表面的改性研究
- 2012年
- 聚酰亚胺膜(PI)是一种特殊的功能性薄膜,缺点是与金属膜层结合力很差,表面处理是一种提高PI膜和金属膜层结合力的非常有效方法.本文结合MEVVA(金属真空蒸汽离子源)离子注入技术和磁过滤沉积技术对PI膜表面进行改性处理;经4.5×1015 cm-2注量的Ni离子注入后,PI膜层表面形貌变化很小,经FTIR分析表面的苯环,酰亚胺环等特征吸收峰强度未有变化,即未造成表面的键断裂等损伤.经4.5×1015 cm-2 Ni注入(10kV)+10nm Ni沉积+4.5×1015 cm-2 Ni注入(12kV)+100nm Ni沉积处理后的膜表面形貌发生了较大的变化,形成表面不再平整的过渡层,这过渡层和聚酰亚胺膜有机结合在一起形成了混合钉扎状态,即过渡层和聚酰亚胺表面膜层发生化学作用,这点从膜层剥离后PI膜的特征吸收的消失可以得到直接验证.还利用SRIM和TRIDYN理论模拟计算了10kV的3种不同注量的Ni离子注入PI膜层的射程以及浓度随着深度的变化曲线,比较直接的显示了Ni离子富堆积深度为17.5nm.
- 廖斌吴先映梁宏张旭
- 关键词：聚酰亚胺表面处理NI
- MEVVA离子束技术的发展及应用被引量：6
- 2014年
- 金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.
- 吴先映廖斌张旭李强彭建华张荟星张孝吉
- 关键词：材料表面改性
