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湖北省教育厅重点项目(Q200710007)
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吴雯
熊娟
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杜鹏飞
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杜鹏飞
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吴雯
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功能材料与器...
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2010
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射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜
2010年
采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。
吴雯
熊娟
杜鹏飞
陈侃松
顾豪爽
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ALN薄膜
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