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国防科技重点实验室基金(51433030103DZ01)

作品数：12 被引量：82H指数：7
相关作者：庄奕琪杜磊包军林马仲发李伟华更多>>
相关机构：教育部西安电子科技大学武警工程学院通信工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇噪声
  • 4篇光电耦合
  • 4篇光电耦合器
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇光电
  • 3篇光电耦合器件
  • 3篇红外
  • 3篇红外发光二极...
  • 3篇GAALAS
  • 2篇氧化层
  • 2篇氧化层陷阱
  • 2篇涨落
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇G-R噪声
  • 1篇低频噪声
  • 1篇电流传输比
  • 1篇电子商务

机构

  • 6篇教育部
  • 6篇西安电子科技...
  • 1篇武警工程学院...

作者

  • 12篇庄奕琪
  • 10篇包军林
  • 10篇杜磊
  • 7篇马仲发
  • 6篇李伟华
  • 4篇万长兴
  • 4篇胡瑾
  • 2篇周江
  • 2篇刘丽霞
  • 2篇李聪
  • 1篇何亮
  • 1篇卫涛
  • 1篇陈春霞
  • 1篇黄小君
  • 1篇吴勇
  • 1篇张萍

传媒

  • 3篇电子器件
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇光子学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 6篇2005
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型被引量：18
2005年
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .
包军林庄奕琪杜磊李伟华万长兴张萍
关键词：氧化层陷阱半导体载流子
多光谱分离算法在目标识别中的研究被引量：2
2010年
针对野外工作时机械扫描式的光学系统抗震性差、目标识别率低、实时性差等问题,设计了采用多光谱分离算法实现非扫描目标识别遥感系统。采用非扫描的M-Z干涉具提供空间光程差,由红外CCD采集干涉条纹信息,经CUP处理得到混合光谱,结合可见光视频图像提供的坐标系实现识别目标。其中采用遗传算法优化选择特征波长,然后由粗糙集分类提取未知目标谱的属性,取前1/3可信度的相应属性反演待测目标种类,相比传统算法减少约9倍的运算量。在不同天气、不同背景条件下做实验,得到系统在各种情况下的探测极限及识别概率。由实验数据可知,采用遗传算法和粗糙集分类相结合的多光谱分离算法可以快速、有效地识别未知目标的种类。
刘丽霞庄奕琪
关键词：目标识别遗传算法粗糙集分类
光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究被引量：14
2005年
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词：G-R噪声光电耦合器件深能级
发光二极管可靠性的噪声表征被引量：22
2006年
通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大.
胡瑾杜磊庄奕琪包军林周江
关键词：发光二极管光功率
电子商务系统的数据挖掘与智能推荐预测的研究被引量：7
2008年
本文对数据挖掘的概念做了简要的描述,并对决策树、关联规则和聚类三种数据挖掘算法做了分析比较,认为决策树算法虽然对于每一个项有更详细的模式且支持连续的输入,但不能扩展为大的目录;关联规则算法虽然快速、可伸缩,但是对算法的参数非常敏感;聚类算法虽然按相似性对数据进行分组,但是要设置复杂的参数和变量。
刘丽霞庄奕琪
关键词：数据挖掘聚类SERVLETSOCKETJDBC
GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响被引量：3
2006年
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华李聪
关键词：红外发光二极管
GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究被引量：2
2005年
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAsIRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。
包军林庄奕琪杜磊马仲发李伟华万长兴
关键词：红外发光二极管涨落氧化层陷阱
基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究被引量：7
2006年
传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的1/f噪声幅值比传统的测试方法低2个数量,以小波理论构建的两个参量更深入细微地表征了1/f噪声特性:模极大值分布能够鉴别不同类型的1/f噪声产生机构,相似系数可描述应力对器件1/f噪声的影响。
包军林庄奕琪杜磊李伟华马仲发万长兴
关键词：小波分析虚拟仪器模极大值
光电耦合器电流传输比的噪声表征被引量：14
2007年
光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.
胡瑾杜磊庄奕琪何亮包军林黄小君陈春霞卫涛
关键词：光电耦合器电流传输比
光电耦合器件闪烁噪声模型被引量：12
2005年
对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f噪声幅值增大了约7倍.理论分析表明,小电流时该器件的1/f噪声为扩散1/f噪声,大电流时为复合1/f噪声,应力在器件有源区诱生的陷阱是1/f噪声增大的根本原因.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制,建立了一个光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,实验结果和模型符合良好.
包军林庄奕琪杜磊马仲发胡瑾周江
关键词：光电耦合器件涨落
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