上海市科学技术委员会基础研究重点项目(06dj14008)
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
- 相关作者：曹俊诚黎华张波陆卫张戎更多>>
- 相关机构：中国科学院华东师范大学西南技术物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 太赫兹量子级联激光器材料生长及表征被引量：2
- 2009年
- 采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THzQCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THzQCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THzQCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.
- 常俊黎华韩英军谭智勇曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延X射线衍射
- InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析被引量：3
- 2009年
- 分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.
- 李为军张波徐文兰陆卫
- 关键词：INGAN/GAN发光二极管数值模拟
- 太赫兹无线通信系统中的反射器研究被引量：7
- 2009年
- 采用传输矩阵方法和菲涅尔公式,根据THz频段不同区域内材料折射率的特点,计算模拟了聚合体聚偏氟乙(polyvinylidene fluoride,PVDF)/聚碳酸酯(polycarbonate,PC)一维光子晶体对THz波的反射作用.结果表明这种反射在亚太赫兹频段具有较好的反射性能和较大的反射带宽.此外,根据计算结果,本文还对THz反射器的理论研究设计进行了讨论.
- 张戎黎华曹俊诚封松林
- 关键词：一维光子晶体
- 共振声子太赫兹量子级联激光器研究
- 2009年
- 针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹量子级联激光器发射功率的方案。
- 黎华韩英军谭智勇张戎郭旭光曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器蒙特卡洛方法功率
- InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
- 2008年
- 计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能高低的关键因素。对大电流下晶格优化的Al0.02In0.1Ga0.88N四元材料作为量子阱垒层的器件效能和发光特性下降的原因进行了深入分析,同时提出了具体的解决方法。
- 李为军张波徐文兰
- 关键词：发光二极管ALINGAN
- 外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性被引量：1
- 2008年
- 外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.
- 王立敏曹俊诚
- 关键词：高电子迁移率晶体管磁场
- 高纯锗中浅受主的光热电离光谱
- 2008年
- 在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
- 余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
- 关键词：高纯锗光热电离光谱
- 高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
- 2008年
- 首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.
- 余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础
- 关键词：高纯硅光热电离光谱
- 太赫兹量子级联激光器制备及其成像应用被引量：2
- 2008年
- 太赫兹辐射源是太赫兹频段应用的关键器件.全固态相干太赫兹量子级联激光器作为一种重要的太赫兹辐射源具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点.介绍了太赫兹量子级联激光器在激射频率和最高工作温度方面的研究进展,重点讨论了太赫兹量子级联激光器的制作工艺和测试方法.最后简单概述了太赫兹量子级联激光器在成像领域的应用.
- 黎华曹俊诚
- 关键词：太赫兹量子级联激光器成像
