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GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究被引量：1: 2006年; 对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。; 王瑞敏陈光德; 关键词：GAN 缺陷模

InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究: 2009年; 分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。; 王瑞敏陈光德; 关键词：拉曼散射光谱

GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究: GaN及其合金是一种新型的宽带隙半导体材料,近年来越来越引起人们的关注。目前对GaN材料在低温下散射特性的研究报道较少,低温拉曼散射谱中9550cm之间出现的一系列散射峰的产生机制存在着很大的争议。本文在78K温度下对G...; 王瑞敏陈光德; 文献传递

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射被引量：1: 2009年; 利用325nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行了对比.此外,还观察到位于1310cm-1附近的InxGa1-xN的E2声子组合模.; 王瑞敏陈光德

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射被引量：7: 2006年; 用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_(1-x)N薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了In_xGa_(1-x)N的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对Raman谱中E2和A1(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_(1-x)N样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号.; 王瑞敏陈光德竹有章; 关键词：RAMAN散射 X射线衍射应力

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陕西省自然科学基金(2004A01)