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SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制被引量：1: 2007年; 用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.; 王晓亮王翠梅胡国新马志勇肖红领冉军学罗卫军唐健李建平李晋闽王占国; 关键词：ALGAN/GAN MOCVD 功率器件碳化硅衬底

高阻GaN薄膜电阻率测量: 2007年; 建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.; 方测宝王晓亮肖红领王翠梅冉军学李成基罗卫军杨翠柏曾一平李晋闽; 关键词：电阻率

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中国科学院知识创新工程(KGCX2-SW-107-1)