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四川省应用基础研究计划项目(2009JY0054)

作品数:11 被引量:40H指数:4
相关作者:祁康成林祖伦李国栋张国宏赵启义更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇光电
  • 3篇二极管
  • 3篇ZNO:AL
  • 2篇电特性
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结二极管
  • 2篇透过率
  • 2篇光电特性
  • 2篇仿真
  • 2篇ZNO:AL...
  • 1篇电池
  • 1篇电阻率
  • 1篇氧化镍薄膜
  • 1篇照明
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇溶胶

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 9篇祁康成
  • 5篇林祖伦
  • 4篇李国栋
  • 3篇张国宏
  • 3篇赵启义
  • 2篇文永亮
  • 2篇舒文丽
  • 2篇权祥
  • 2篇刘旖
  • 2篇芮大为
  • 1篇吴云峰
  • 1篇叶宗标
  • 1篇孙长胜
  • 1篇陈文彬
  • 1篇曹贵川
  • 1篇韦新颖
  • 1篇王小菊
  • 1篇刘曾怡
  • 1篇唐斌
  • 1篇杨隆杰

传媒

  • 9篇电子器件
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇材料导报

年份

  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于NAND Flash的海量存储器的设计被引量:18
2012年
针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。
舒文丽吴云峰孙长胜吴华君唐斌
关键词:NANDFLASH海量存储
磁控溅射ZnO基TFT的研究被引量:2
2011年
采用直流磁控溅射在SiO2/n-Si(111)衬底上沉积了Al薄膜,经过光刻、刻蚀形成源漏极,再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层,成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm。实验结果表明,薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性,ZnO薄膜沿C轴择优取向生长,且在可见光波长区域的平均透过率超过85%。
沈匿林祖伦祁康成杨隆杰叶宗标王祝娇
关键词:磁控溅射透过率
ZnO纳米棒阵列提高发光二极管光抽取效率的研究
2011年
为了提高大功率LED的光抽取效率,采用溶胶-凝胶法、水热生长法的两步生长工艺在大功率红光发光二极管(LEDs)表面制作ZnO纳米棒阵列结构进行研究。利用ZnO纳米棒形成的光波导,ZnO纳米棒侧面为辅助出光面,提高了LED芯片的光输出效率。测试表明,所生长的ZnO纳米棒分布密度均匀,形貌一致;与未制作ZnO纳米棒前相比较,LED的电流-电压特性与发光光谱未发生明显变化;当输入电流为310mA时,光抽取效率提高约15%。
王宁林祖伦祁康成曹贵川王小菊
关键词:发光二极管ZNO纳米棒阵列溶胶-凝胶
磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究被引量:5
2011年
采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5mA。二极管在可见光的平均透过率约为25%。
张国宏祁康成权祥文永亮
关键词:异质结二极管
FTO导电玻璃对太阳电池窗口层材料的影响被引量:4
2010年
P型微晶碳化硅薄膜(P-μc-SiC∶H)作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率。本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对FTO导电玻璃上P型μc-SiC∶H薄膜的光学带隙、透光率的影响。并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃(ITO、AZO、FTO)上的薄膜光学特性,找到最适合做太阳能电池P-μc-SiC∶H薄膜的基板。
权祥林祖伦张国宏文永亮刘曾怡
关键词:FTO
氮气退火对氧化镍薄膜光电特性的影响被引量:1
2012年
利用磁控溅射法,在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜。采用不同温度对氧化镍薄膜进行氮气退火,使用UV-1700型分光光度计、JSM-6490LV型扫描电子显微镜、四探针电阻计等分析退火后氧化镍薄膜性能的变化。实验结果表明,500℃退火范围内,氧化镍薄膜的透过率随退火温度的升高明显增加,400℃时透过率达到最大在80%以上,且光学带隙最小,结晶度较高,薄膜成分变化较小,更适于太阳电池窗口层的应用研究。
赵启义祁康成赵荣荣张国宏
关键词:磁控溅射
直流磁控溅射ZnO:Al薄膜过程中氧气浓度的研究被引量:6
2010年
采用直流磁控溅射的方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了氧气浓度对ZAO薄膜的结构、光电性质的影响。实验表明适当的氧气浓度是制备优质ZAO透明导电薄膜的关键。本实验条件下制备的ZAO薄膜最低电阻率为3.67×10-4Ω.cm,可见光部分透过率高于90%。
韦新颖祁康成袁红梅张良燕
关键词:直流磁控溅射ZAO薄膜电阻率透过率
基于渐变折射率透镜的激光投影仪照明光路设计
2011年
照明光路是决定投影仪光学引擎的光能利用率和光学体积的主要因素。传统照明光路针对朗伯光源进行收集与分配,无法从根本上消除系统光效低和体积大的缺点。设计了一种基于渐变折射率(GRIN)透镜阵列的单片式数字光处理(DLP)激光投影光学引擎的照明光路,以单级透镜系统取代了传统的聚光、匀光等结构复杂的光学组件。通过光线追迹软件对照明光路的光学特性进行了仿真评估,光能利用率达69.5%,照明均匀性达90.9%,光学体积仅为3.06cm3,达到了提高光效和减小体积的设计目的。
芮大为林祖伦祁康成刘旖李国栋
关键词:光学设计仿真光能利用率
氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜PN结的影响被引量:5
2012年
利用磁控溅射法,在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al(Al掺杂的ZnO或AZO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/ZnO:Al透明异质结二极管。使用UV-1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜性能的影响。实验结果表明:500℃退火范围内,NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升,500℃时透过率在80%以上,NiO/ZnO:Al薄膜的透过率明显提高;在400℃时,NiO/ZnO:Al薄膜整流特性最佳。
赵启义祁康成舒文丽李国栋
关键词:磁控溅射ZNO:AL薄膜
基于多球面封装透镜的LED微型投影仪的光源设计被引量:1
2012年
提高光能利用率是现阶段LED微型投影仪的技术难题,而提高光源的取光效率则是提高整机光效的前提和根本途径。对于以LED为代表的朗伯源,其光学元件的结构是制约光能利用率的最大因素。我们提出了一种基于多球面单透镜的LED光源设计方案并进行了光学仿真,将LED的一次封装和二次光学设计整合为一体,简化了光源系统结构,取光效率提高到94.9%,同时压缩了出光角度和光学扩展量。
芮大为祁康成林祖伦陈文彬刘旖李国栋
关键词:微型投影仪发散角仿真
共2页<12>
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